型号：13NM90
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：90V
　　最大连续漏极电流（Id）：42A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：168A
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　导通电阻Rds(on)：13mΩ @ Vgs=10V, Id=21A
　　导通电阻Rds(on)：17mΩ @ Vgs=4.5V, Id=21A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　栅极电荷（Qg）：47nC @ Vds=75V, Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：2800pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：37ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 (5x6mm)

13NM90的核心优势在于其出色的导通性能与开关特性的综合平衡。该MOSFET采用了ST先进的STripFET?技术，这种基于沟道优化的制造工艺显著降低了单位面积下的导通电阻，同时增强了器件的雪崩耐受能力。在典型应用条件下，当栅源电压为10V时，其导通电阻仅为13毫欧，这意味着在大电流工况下能够有效降低传导损耗，提高整体能效。此外，在4.5V逻辑电平驱动下仍能保持较低的Rds(on)，使其兼容于多种控制器输出，包括使用单节锂电池供电的低压控制系统。
　　另一个关键特性是其优秀的热稳定性与功率处理能力。器件的最大结温可达+175°C，并具备较高的热导率封装设计，确保在持续高负载运行时仍能维持可靠工作。结合125W的最大功耗能力，13NM90能够在不外加散热片的情况下支持中等功率级别的长时间运行，尤其适合对体积敏感但又要求高性能的应用场景。
　　从开关性能来看，13NM90具有适中的栅极电荷（47nC），这有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗。同时，较低的输入电容（2800pF）减少了对驱动电流的需求，使它更容易被微控制器或专用驱动IC直接驱动。其体二极管的反向恢复时间较短（37ns），在同步整流或感性负载切换过程中可减少反向恢复电流尖峰，提升系统的EMI表现和可靠性。
　　该器件还具备优良的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供更高的安全裕度。此外，符合RoHS标准且无卤素的环保封装进一步提升了其在消费电子、工业控制及汽车辅助系统中的适用性。总体而言，13NM90是一款兼顾高效、紧凑与可靠的现代功率MOSFET解决方案。

13NM90常用于各类高效率直流电源系统中，如笔记本电脑适配器、LED驱动电源、便携式设备充电模块以及电信设备的中间总线转换器。由于其90V的击穿电压等级，非常适合用于12V至48V的母线系统，在这些系统中作为主开关管或同步整流管使用。在DC-DC降压变换器（Buck Converter）拓扑中，13NM90凭借其低Rds(on)和快速开关特性，能够显著提升转换效率并减少发热问题，尤其在多相并联设计中展现出优异的均流能力和热分布均匀性。
　　在电机控制领域，该器件可用于电动工具、无人机电调、小型机器人关节驱动等场合，作为H桥或半桥结构中的开关元件。其高电流承载能力和快速响应使其能够胜任频繁启停和变速调节的任务。此外，在电池管理系统（BMS）或太阳能逆变器中，13NM90也可用作充放电路径上的通断控制开关，实现高效的能量传输管理。
　　汽车电子方面，尽管并非专为车规级设计，但在非安全相关的车载辅助电源、车载充电器或车载照明系统中仍有广泛应用潜力。其小型化封装有利于节省PCB空间，适应现代汽车电子模块高度集成的趋势。同时，在工业自动化设备、PLC模块、伺服驱动器等环境中，13NM90因其稳定性和耐用性而受到工程师青睐。总之，凡是需要在有限空间内实现高功率密度和高效率转换的场景，13NM90都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "IRF1404ZPBF",
　　 "FDP140N10A",
　　 "NTD4906N",
　　 "AO4490",
　　 "SI4410DY"
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