时间：2025/12/27 8:47:32
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13NM60G是一款由Power Integration（PI）公司生产的高压MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源（SMPS）和离线式电源转换应用。该器件集成了一个600V的耐压MOSFET，采用先进的Super Junction技术，能够在高效率和高功率密度的设计中表现出色。13NM60G特别适用于需要宽输入电压范围、高能效和紧凑设计的电源系统。其名称中的“13N”表示其导通电阻等级，“M”代表MOSFET，“60”表示其漏源击穿电压为600V，“G”通常指封装或版本标识。该器件广泛应用于LED照明驱动、适配器、充电器、工业电源以及家用电器电源模块等场景。由于其内置了多项保护功能，如过温保护和电流限制，13NM60G在可靠性方面表现优异，适合在恶劣工作环境下长期运行。此外，该器件支持高频开关操作，有助于减小磁性元件和电容的体积，从而实现更小型化的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：13A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：52A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.45Ω（Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：约78nC
输入电容（Ciss）：约1100pF
输出电容（Coss）：约180pF
反向恢复时间（trr）：快速恢复特性
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220F 或 IGBT-like through-hole package
13NM60G采用了Super Junction结构设计，这种技术通过在硅片中交替排列P型和N型柱状区域，显著降低了导通电阻与输出电容之间的乘积（Rds(on) × Coss），从而大幅提升了器件的开关效率和功率密度。这一特性使得13NM60G在高频率开关应用中具有更低的动态损耗，尤其是在硬开关拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振转换器中表现突出。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的功耗更小，能够配合简单的驱动芯片实现高效控制。
该器件具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大工作结温可达150°C，并内置热关断保护机制，当芯片温度超过安全阈值时会自动切断电流，防止因过热导致永久性损坏。此外，13NM60G的漏源雪崩能量承受能力强，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定的鲁棒性，增强系统的可靠性。
在制造工艺上，13NM60G采用先进的薄晶圆技术和精细光刻工艺，确保了批次间的一致性和长期可靠性。器件表面经过钝化处理，提高了抗湿气和污染的能力，适用于工业级和消费级应用场景。其TO-220F封装具有良好的散热性能，可通过外接散热片进一步提升功率处理能力，适用于持续大电流工作的电源设计。
13NM60G广泛应用于多种中高功率开关电源系统中。在LED照明领域，它常用于恒流驱动电源，特别是在户外路灯、商业照明和工业照明系统中，因其高效率和长寿命特点而备受青睐。在消费电子方面，该器件可用于笔记本电脑适配器、手机快充充电器、电视电源板等产品，满足能源之星（Energy Star）和DoE VI等能效标准要求。
在工业应用中，13NM60G被用于PLC电源模块、电机驱动辅助电源、通信设备电源单元以及医疗仪器中的隔离电源设计。其高耐压能力和可靠的保护机制使其能够在电网波动较大的环境中稳定运行。此外，在家电领域，如空调、洗衣机、微波炉等产品的内部控制电源中也有广泛应用。
由于其支持高频开关操作，13NM60G也适用于新兴的数字化电源设计，包括数字PWM控制器配合使用的电源方案。在这些系统中，它可以实现更高的转换效率和更快的动态响应速度，同时减少电磁干扰（EMI）的影响，便于通过EMC认证测试。
STP13N60M5, FQA13N60L, K13T60, 13N60F, FCH13N60
