类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：13A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（@ Vgs=10V, Id=6.5A）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（@ Vgs=10V, Id=13A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V（@ Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：950pF（@ Vds=25V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：270pF（@ Vds=25V, f=1MHz）
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　最大功耗（Pd）：50W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

13N40K-MT的核心特性之一是其高击穿电压能力，漏源击穿电压高达400V，使其能够在高压开关电源环境中稳定运行，尤其是在离线式反激变换器或AC-DC转换器中表现出色。这一特性确保了在输入电压波动较大的情况下，器件仍能维持安全工作，避免因过压导致的击穿失效。同时，该MOSFET具备较低的导通电阻（典型值0.28Ω），有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的转换效率。这对于需要长时间运行或高能效认证的产品尤为重要。
　　另一个关键特性是其优秀的热管理和封装设计。采用TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热路径，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。该封装结构允许通过PCB上的铜箔或散热焊盘将热量迅速传导出去，从而延长器件寿命并提升可靠性。此外，13N40K-MT具有较快的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，能够减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用如LLC谐振转换器或有源钳位电路。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，可在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定。其阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容多种驱动电路，包括专用MOSFET驱动IC或PWM控制器直接驱动。此外，13N40K-MT的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下依然具备可靠的电气性能，适用于工业级或恶劣环境下的电源系统。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中功率开关电源设计中的优选器件。

13N40K-MT主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合用于离线式反激变换器（Flyback Converter），这类拓扑常见于适配器、充电器和小型电源模块。由于其400V的耐压能力，能够轻松应对整流后的市电电压（如220V AC经整流后约310V DC），并在启动和动态负载变化期间提供足够的电压裕量。此外，它也被广泛用于LED照明驱动电源，特别是在高亮度LED恒流源设计中，作为主开关管实现高效的能量转换。
　　在DC-DC升压或降压转换器中，13N40K-MT可作为主功率开关使用，尤其适用于输入电压较高或输出功率需求较大的场合。例如，在太阳能逆变器前端或电池管理系统中的DC-DC环节，该器件能够承受较高的母线电压并实现低损耗切换。同时，由于其良好的热性能和封装兼容性，也常用于工业电源模块、UPS不间断电源、电动工具充电器以及家电内部的辅助电源（Auxiliary Supply）。
　　此外，13N40K-MT还可用于电机驱动电路中的低端开关，特别是在小功率直流电机或步进电机控制中，配合续流二极管或同步整流方案实现高效驱动。在电磁炉、空气净化器、洗衣机等家用电器中，该器件有助于提高整机能效等级并满足EMI和安规要求。总体而言，13N40K-MT凭借其高耐压、低导通损耗和成熟封装，在消费电子、工业控制和绿色能源等多个领域均有广泛应用前景。

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　　 "FQP13N40C",
　　 "STP13NK40ZFP",
　　 "IRF740BPBF",
　　 "KSE13N40",
　　 "AP13N40K"
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