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132012-000 发布时间 时间:2025/8/6 19:12:12 查看 阅读:16

132012-000是一种高压MOSFET驱动器集成电路,专为需要高边和低边驱动能力的应用而设计。该器件通常用于电机控制、电源转换和工业自动化系统中。其主要功能是将控制器的信号转换为足够强的驱动能力,以快速驱动功率MOSFET或IGBT。该IC具有较高的抗噪能力,并提供一定的保护功能,确保系统在高压或高电流条件下的可靠性。

参数

工作电压范围:10V至20V
  输出驱动电流:高端驱动1.4A,低端驱动2A
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:16引脚SOIC
  最大工作频率:1MHz
  传输延迟:100ns(典型)
  上升/下降时间:15ns(典型)
  欠压锁定保护(UVLO):有
  过热保护:无
  封装类型:表面贴装

特性

132012-000的主要特点包括其高边与低边同步驱动能力,使其非常适合用于半桥或全桥拓扑结构。其高驱动电流能力可以有效减少功率器件的开关损耗,提高系统效率。
  该IC具备较高的抗噪声能力,尤其是在高边驱动部分,采用了自举技术以确保在高电压环境下稳定工作。此外,内置的欠压锁定(UVLO)功能可在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止功率器件在非理想条件下工作。
  132012-000的封装设计适合工业级应用,能够在较宽的温度范围内保持稳定性能。其高速传输延迟和快速上升/下降时间使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、逆变器和马达驱动器。
  此外,该驱动器IC支持与各种控制器配合使用,灵活性高,可适应不同的功率转换拓扑结构,例如同步整流、Buck转换器和Boost转换器等。

应用

132012-000广泛应用于需要高压驱动能力的电力电子系统中,如无刷直流电机控制器、工业逆变器、UPS系统、DC-DC转换器和开关电源。由于其具备高速和高边驱动能力,特别适合用于需要高频操作和高效率的场合。在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,也常用于驱动功率MOSFET或IGBT模块。

替代型号

132012-000的替代型号包括IR2110、LM5112、UCC27531、HIP4080、FAN7380等。这些IC在某些应用中可以提供类似的功能,但在选型时应根据具体的设计需求进行参数匹配和验证。

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