12N90 时间：2025/7/23 21:41:53 阅读：3

12N90是一种N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压、高电流的应用场景。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：12A（25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.36Ω
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V

特性

12N90 MOSFET具备多项显著特性，使其适用于多种高要求的电子设计应用。首先，其高达900V的漏源电压能力，使其在高压电源设计中具有出色的性能表现。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.36Ω，从而在工作过程中降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，12N90的封装形式为TO-220，这种封装不仅便于安装和散热，而且具有良好的机械稳定性，适合工业级应用。在可靠性方面，12N90的热稳定性较强，能够在较高温度环境下长时间运行，且不易发生热失控现象。最后，该器件的栅极阈值电压范围为2V～4V，确保了与常见驱动电路的兼容性，并简化了控制电路的设计复杂度。这些特性共同使12N90成为一款适用于多种高电压、高电流应用场景的高性能功率MOSFET。

应用

12N90广泛应用于多个高电压、高电流需求的电子系统中。其主要应用领域包括开关电源（SMPS），如AC-DC适配器和电源模块，以实现高效率的电能转换。在DC-DC转换器中，它常用于升压或降压电路，为各种设备提供稳定的电压输出。此外，12N90也适用于电机控制电路，如无刷直流电机的驱动模块，提供高效的开关控制能力。它还可用于工业自动化设备中的负载开关，如继电器替代或高电压设备的电源控制。在照明应用中，12N90可用于LED驱动电路，特别是在需要调光或大功率LED的场合。同时，它也被广泛应用于电池管理系统（BMS）中，用于控制充放电过程，确保电池组的安全运行。