类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.38Ω
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

12N60B3D具有多项显著特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其最大漏源电压为600V，能够支持高电压应用环境，同时最大漏极电流为12A，满足中等功率需求。该器件的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.38Ω，较低的导通电阻可以减少导通损耗，从而提高整体效率。
　　其次，12N60B3D采用了先进的平面技术，确保了良好的热稳定性和可靠性。其栅极阈值电压范围为2V至4V，适合多种驱动电路的需求，能够与常见的控制IC兼容。此外，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应各种恶劣环境下的运行。
　　12N60B3D的封装形式为TO-220，这种封装结构提供了良好的散热性能，同时便于安装和集成。TO-220封装的广泛使用也意味着该器件易于采购和替换。在实际应用中，12N60B3D表现出较低的开关损耗和导通损耗，这有助于提高系统效率并降低发热，延长设备的使用寿命。

12N60B3D广泛应用于多种电子设备中，特别是在需要高电压、中等电流控制的场合。在开关电源（SMPS）中，12N60B3D可以用作主开关器件，负责将输入电压转换为所需的输出电压。其高耐压能力和良好的导通特性使其在电源转换过程中表现出色，同时降低能量损耗。
　　此外，12N60B3D还适用于电机控制和驱动电路，如直流电机调速、步进电机驱动和电动工具控制等。在这些应用中，MOSFET需要承受频繁的开关操作和较高的电流冲击，而12N60B3D的稳定性能和较低的导通电阻使其成为理想选择。
　　该器件还常用于照明控制系统，例如LED驱动器和电子镇流器。由于12N60B3D的栅极驱动要求较低，可以与常见的PWM控制器配合使用，实现高效、稳定的照明控制。此外，它也适用于工业自动化设备、家电控制电路和逆变器设计等领域。

12N60C3、15N60B3、IRF840、STP12NM60ND、FQA12N60C