12N60A4 时间：2025/12/29 14:18:21 阅读：17

12N60A4 是一款高压高电流 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源转换器、开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器等高功率电子系统中。该器件具有较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适用于需要高效率和高性能的功率管理场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压 Vds：600V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：12A（@TC=100℃）
　　功耗 PD：140W
　　导通电阻 Rds(on)：≤0.45Ω（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

特性

12N60A4 是一款设计用于高功率应用的功率MOSFET，具有优异的电气性能和稳定性。其主要特性包括高耐压能力（600V）和大电流承载能力（12A），能够满足多种高压和高功率场景的需求。该器件采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的导通性能和较低的导通损耗，有助于提高整体系统效率。
　　此外，12N60A4 的导通电阻（Rds(on)）较低，通常小于或等于0.45Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗。其栅极驱动电压范围较宽（典型为10V），可兼容多种驱动电路，便于在不同应用中使用。
　　该器件的封装形式通常为TO-220或TO-3P，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。同时，其工作温度范围宽广（-55℃至+150℃），能够在恶劣环境下稳定运行，提高了产品的可靠性和适用性。
　　12N60A4 还具备较强的抗过载和短路能力，能够在一定程度上承受瞬时过电流和过电压的影响，从而保护系统免受损坏。这种特性使其非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动等应用中。