型号：12N50L-TQ2
　　品牌：UTC（Unisonic Technologies）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：12A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.48Ω（@Vgs=10V）
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Pd）：75W（@TC=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（D-Pak）
　　栅极电荷（Qg）：典型值53nC（@Vds=400V, Vgs=10V）
　　输入电容（Ciss）：典型值1150pF（@Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　反向恢复时间（trr）：典型值55ns

12N50L-TQ2采用先进的平面DMOS工艺制造，具备优异的电气性能和热稳定性。其最大漏源电压可达500V，能够满足大多数高压开关电源的设计需求，尤其是在AC-DC适配器、LED驱动电源和工业控制电源中表现出色。该MOSFET的导通电阻低至0.48Ω（在Vgs=10V条件下），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。同时，该器件在高温环境下的Rds(on)变化较小，保证了在满载或恶劣工作条件下的稳定运行。
　　该器件具有较高的栅极阈值电压范围（2.0V~4.0V），使其在逻辑电平驱动下也能可靠开启，适用于多种驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）仅为53nC左右，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有助于降低驱动损耗并提升开关速度。输入电容和输出电容的合理匹配使其在高频开关应用中表现出良好的动态响应特性，减少了开关过程中的振荡和电磁干扰。
　　12N50L-TQ2具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保护自身不被损坏，提高了系统的鲁棒性。其TO-252封装不仅便于安装在PCB上，还具备良好的散热性能，可通过外接散热片进一步提升功率处理能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环保的严格要求。其可靠的封装结构也增强了抗机械应力和热循环的能力，适用于工业级和消费级应用场景。

12N50L-TQ2广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于：AC-DC开关电源适配器、离线式反激变换器、LED恒流驱动电源、DC-DC升压/降压转换器、太阳能逆变器、电机控制模块、家用电器电源板以及工业自动化设备中的功率开关单元。由于其具备500V的耐压能力和12A的持续漏极电流承载能力，特别适合用于200W以内的电源设计中，在保证高效率的同时实现紧凑的电路布局。
　　在LED照明领域，12N50L-TQ2常用于隔离式反激拓扑结构中作为主开关管，配合PWM控制器实现稳定的恒流输出，适用于路灯、室内照明和商业照明系统。在消费类电子产品中，如电视、显示器、音响设备的内置电源中，该MOSFET可用于PFC（功率因数校正）电路或主开关电路，提升能效并满足能源之星等能效标准。
　　在工业控制方面，12N50L-TQ2可用于PLC电源模块、继电器驱动电路或小型逆变器中，提供可靠的功率切换功能。此外，其快速开关特性和低导通损耗也使其适用于电池充电器、UPS不间断电源和电动工具的电源管理模块。由于其封装为TO-252，易于实现自动化贴装，适合大批量生产，因此在成本敏感且对可靠性要求较高的产品中具有显著优势。

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