类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：12A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：48A
　　功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.55Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

12N50-TC的核心特性之一是其高耐压能力，漏源击穿电压高达500V，使其能够安全地应用于多种高压开关电路中，例如AC-DC电源适配器、LED恒流驱动电源以及光伏逆变系统等。这一高耐压特性确保了器件在瞬态过压或电网波动情况下仍能保持稳定运行，显著提高了系统的安全裕度。同时，该MOSFET具备12A的额定连续漏极电流能力，能够在较长时间内承受较大的负载电流，适用于中等功率等级的应用场景。
　　另一个关键特性是其较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下典型值仅为0.55Ω。低Rds(on)意味着在导通状态下器件的功率损耗较小，从而减少了发热并提升了系统整体效率。这对于追求高能效的开关电源设计尤为重要，有助于满足能源之星或其他能效标准的要求。此外，低导通电阻还允许使用更小的散热器甚至实现无风扇设计，有利于产品小型化与成本控制。
　　12N50-TC具有优良的开关性能，得益于其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得该器件在高频开关应用中表现出快速的开启与关断响应。这不仅降低了开关过程中的交叠损耗，还能支持更高的PWM调制频率，进而减小外围电感和电容的体积，提升电源功率密度。同时，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在意外电压尖峰或感性负载突变时提供一定的自我保护能力。
　　热稳定性方面，12N50-TC采用高导热性的封装材料和内部结构设计，确保热量能够有效从芯片传递至外部散热器。其最大功耗可达150W（在理想散热条件下），且结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下可靠工作。此外，内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构如反激式转换器或H桥驱动电路。
　　综合来看，12N50-TC在耐压、电流承载、导通损耗、开关速度和热管理等方面实现了良好平衡，是一款性价比高且通用性强的功率MOSFET器件，适合工业控制、消费电子和新能源领域的广泛应用。

12N50-TC主要应用于各类需要高压、大电流开关控制的电力电子系统中。在开关电源领域，它常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）拓扑结构中作为主开关管，广泛见于笔记本电脑适配器、电视电源板、LED驱动电源等设备中。由于其500V的耐压能力，特别适合输入电压较高的交流市电整流后应用，能够在全电压范围内（如90VAC~264VAC）稳定工作。
　　在DC-DC转换器中，12N50-TC可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中作为功率开关元件，尤其适用于输入电压较高或输出功率较大的场合。例如，在太阳能充电控制器或车载逆变器中，该器件可承担能量转换与调节任务，确保系统高效运行。
　　此外，12N50-TC也适用于电机驱动电路，尤其是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动中作为上下桥臂开关使用。其快速的开关响应能力和较强的电流驱动能力，有助于实现精确的转速与方向控制，广泛应用于家用电器（如风扇、洗衣机）、办公自动化设备（如打印机、扫描仪）以及工业控制系统中。
　　在逆变器系统中，如正弦波或修正波逆变器，12N50-TC可作为桥式逆变电路中的核心开关器件，将直流电转换为交流电供负载使用。其高耐压特性可有效应对母线电压波动，而低导通电阻则有助于减少发热，提高转换效率。
　　除此之外，该器件还可用于电子镇流器、电磁炉、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块以及其他需要高压功率切换的场合。凭借其稳定的性能和成熟的封装工艺，12N50-TC已成为许多中低端功率电子产品的首选MOSFET之一。

K12N50, FQPF12N50, STP12N50, IRFBC40, 2SK2542