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12FMZ-BT(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 8:03:08 查看 阅读:11

12FMZ-BT(LF)(SN) 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装高速整流二极管阵列,采用 SOT-23 封装。该器件集成了两个独立的肖特基势垒二极管,配置为共阴极连接方式,适用于需要高效、低电压降整流功能的便携式电子设备和高频开关电路中。由于其采用了肖特基技术,12FMZ-BT(LF)(SN) 具备较低的正向导通压降(VF)和快速的反向恢复时间,使其在高频整流、信号解调、极性保护和电源管理等应用中表现出色。该器件符合 RoHS 指令要求,标有 (LF) 表示无铅(Lead-Free),(SN) 表示卷带包装形式,适合自动化贴片生产流程。其小型化封装和高性能特性使其广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源适配器以及电池供电系统中。

参数

类型:双肖特基二极管阵列
  配置:共阴极
  封装:SOT-23(表面贴装)
  制造商:Vishay Semiconductors
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  最大重复峰值反向电压(VRRM):30 V
  最大直流阻断电压(VR):30 V
  平均整流电流(Io):200 mA(每条支路)
  峰值浪涌电流(IFSM):1.25 A
  最大正向电流(IF):300 mA
  最大正向电压降(VF):450 mV(在 IF = 100 mA 条件下)
  最大反向漏电流(IR):1 μA(在 VR = 30 V,25°C)
  反向恢复时间(trr):< 5 ns
  热阻抗(RθJA):350°C/W
  结温(TJ):+150°C
  湿度敏感等级(MSL):1级(<=30°C / 85% RH)

特性

12FMZ-BT(LF)(SN) 的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体结替代传统的 PN 结,从而显著降低正向导通压降。在典型工作条件下,其正向压降仅为 450 mV(在 100 mA 时),远低于传统硅二极管的 700 mV 左右。这一特性极大提升了电源转换效率,尤其在低电压、大电流的应用场景中,能够有效减少功率损耗并降低热生成。此外,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,不存在少数载流子的储存电荷效应,因此具备极快的开关速度和几乎可忽略的反向恢复时间(trr < 5 ns)。这使得该器件非常适合用于高频开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、射频检波电路以及高速数字信号整形等对响应速度要求苛刻的应用。
  该器件集成了两个独立的肖特基二极管,并以共阴极方式连接,这种结构特别适用于全波整流或双通道信号处理场合,例如在差分信号路径中实现同步整流或构建简单的逻辑“或”门电源冗余设计。其 SOT-23 小型表面贴装封装不仅节省 PCB 空间,还具备良好的散热性能和机械稳定性,适合高密度组装需求。器件的工作结温可达 +150°C,保证了在高温环境下的可靠运行。同时,其低反向漏电流(最大 1 μA 在 30 V 下)确保了在关断状态下的低功耗表现,对于电池供电设备延长续航时间具有重要意义。Vishay 对该产品实施严格的品质控制,符合 J-STD-020 回流焊规范,且通过 AEC-Q101 认证(如适用),确保其在汽车电子和工业环境中的长期可靠性。

应用

12FMZ-BT(LF)(SN) 广泛应用于多种电子系统中,尤其是在对空间和效率要求较高的场合。常见应用包括便携式消费电子产品中的电源管理单元,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电与保护电路;在 DC-DC 转换器中作为续流二极管或输出整流元件,提升整体能效;在低压差线性稳压器(LDO)或开关稳压器的反馈回路中用于温度补偿或电压钳位;在通信接口电路(如 USB、RS-232)中提供静电放电(ESD)保护和反接保护;在射频接收前端用于 AM 信号解调或包络检测;还可用于构建 OR-ing 电路,实现多电源输入自动切换,提高系统的供电冗余性和可靠性。此外,该器件也适用于工业传感器、物联网节点、LED 驱动模块以及各种嵌入式控制系统中的信号整流与保护功能。

替代型号

BAT54S, RB520S-40, PMEG2005EH, SS12

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