制造商：ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
　　产品类型：串行NOR Flash Memory
　　存储容量：16Mbit (2MB)
　　组织结构：128K x 16
　　接口类型：SPI, QPI 支持
　　时钟频率：最高支持104MHz (Quad SPI)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-SOIC, WSON8
　　写入耐久性：100,000 次擦写周期
　　数据保持时间：20 年
　　编程时间（典型）：3ms 典型页编程时间
　　擦除时间：28ms 典型扇区擦除，1.5s 芯片擦除
　　待机电流：< 1μA (掉电模式)
　　工作电流：< 10mA (读取模式)

128KXM016M具备多项先进特性以确保在复杂环境下的稳定运行。首先，其支持多种SPI操作模式，包括标准SPI、Dual SPI、Quad SPI以及QPI（四线外围接口）模式，在QPI模式下可实现高达416Mbps的数据传输速率，大幅提升系统效率。芯片内部集成了一个灵活的状态寄存器架构，用户可通过读取状态寄存器获取当前设备状态，如写使能锁存、忙标志、块保护设置等，并通过指令精确控制写保护区域。该器件提供细粒度的扇区保护功能，允许对任意扇区或整片进行写保护，支持按顶部或底部配置保护区域，兼容JEDEC标准指令集，便于与现有系统集成。此外，128KXM016M内置上电复位电路和电压监控模块，确保在电源不稳定情况下仍能安全启动并避免误操作。其还支持软复位指令（Software Reset），可在不切断电源的情况下重启器件，提升系统灵活性。在安全性方面，该芯片提供唯一ID序列号功能（部分版本支持），可用于设备认证或防伪识别。所有写入和擦除操作均通过片内算法自动完成，无需外部高压，简化了系统设计。制造工艺采用先进的浮栅技术，保证高可靠性与长期数据保存能力。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品生产流程。
　　值得一提的是，128KXM016M优化了功耗管理机制，具备多种低功耗模式，包括深功率-down模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗可降至1μA以下，非常适合电池供电或对能效要求严格的便携式设备。其抗干扰能力强，信号完整性优秀，支持CRC错误校验功能（通过特定指令启用），可检测数据传输过程中的错误，提高通信可靠性。整体设计兼顾性能、稳定性与易用性，是嵌入式系统中理想的代码存储和数据记录解决方案。

128KXM016M广泛应用于多种需要高可靠性和小尺寸非易失性存储的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、传感器模块、HMI人机界面设备中存储固件、配置参数及日志数据；在网络通信设备如路由器、交换机、光模块中，作为Boot Code存储器，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。在消费类电子产品中，该芯片被用于智能家居设备（如智能门锁、温控器）、可穿戴设备（如智能手表、健康监测仪）以及多媒体播放器中保存操作系统、用户设置和应用程序代码。汽车电子方面，适用于车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS辅助驾驶模块、车载T-Box等模块，满足车规级环境下的稳定运行需求。此外，在医疗设备如便携式监护仪、血糖仪中，用于存储关键校准数据和设备配置信息，确保数据安全不丢失。由于其支持高速Quad SPI接口，也适合需要频繁读取代码的微控制器外挂Flash应用场景，例如基于ARM Cortex-M系列、ESP32、STM32等MCU的开发平台。同时，得益于其小型封装和低功耗特性，128KXM016M在空间受限且追求长续航的物联网终端节点中表现出色，如LoRa、NB-IoT模组、无线传感网络节点等。总体而言，该芯片凭借其高集成度、宽温特性和丰富的功能集，成为众多嵌入式系统设计师首选的串行闪存器件之一。

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