类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(RDS(on))：约0.018Ω（典型值）
　　功率耗散(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

12561/BEAJC MOSFET具备多项优良特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性显著降低了在高电流条件下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的RDS(on)典型值约为0.018Ω，在同类产品中具有较高的竞争力。
　　其次，12561/BEAJC的最大漏源电压为60V，最大连续漏极电流可达80A，使其能够胜任高功率需求的应用场景。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，便于与各种驱动电路兼容。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。TO-220封装也便于安装和散热片的固定，适用于多种工业级应用。
　　12561/BEAJC的工作温度范围为-55°C至175°C，具有优异的热稳定性和环境适应能力，适用于各种严苛的工作环境。同时，其高功率耗散能力（160W）也进一步增强了其在高功率应用中的可靠性。

12561/BEAJC MOSFET因其高性能特性，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件常用于同步整流的DC-DC转换器、降压（Buck）转换器和升压（Boost）转换器中，以实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它在负载开关电路中也表现出色，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能设备中的电源管理模块。
　　此外，12561/BEAJC还可用于马达控制和工业自动化设备中的功率开关，能够提供稳定的电流输出并减少能量损耗。在电池管理系统中，该MOSFET可用于保护电路，防止过流和短路情况下的损坏。同时，其高耐压和高电流能力也使其适用于电动汽车、电动工具以及不间断电源（UPS）等高功率设备中。

IRF1404、SiR872DP、FDMS86101