时间：2025/12/28 2:01:07
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1210X476M100NT是一款由KEMET（现属于国巨集团）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），采用标准的1210（3225公制）封装尺寸，具有47μF的标称电容值，额定电压为10V DC，电容容差为±20%（M级）。该器件基于X5R陶瓷介质材料，具备相对稳定的温度特性，适用于广泛的去耦、滤波和旁路应用。由于其较高的容值与较小的封装尺寸结合，1210X476M100NT属于高容量密度的MLCC产品，广泛用于消费电子、工业控制、通信设备和便携式电源系统中。该器件符合RoHS环保标准，并通常采用卷带包装，便于自动化贴片生产。
该型号命名遵循KEMET的标准编码规则：'1210'表示英制封装尺寸（12.0×10.0 mils），'X'代表X5R温度特性，'476'表示47×10^6 pF = 47μF，'M'为容差±20%，'100'表示额定电压10V，'N'代表端接类型为镍阻挡层，'T'表示编带包装。由于大容量陶瓷电容在实际使用中受直流偏置、温度变化和老化等因素影响较大，设计时需参考厂商提供的降额曲线以确保实际有效电容满足电路需求。
封装尺寸：1210 (3225 mm)
电容值：47μF
容差：±20%
额定电压：10V DC
介质材料：X5R
温度范围：-55°C 至 +85°C
电容温度特性：±15% 在 -55°C 至 +85°C 范围内
直流偏置效应：随电压升高电容显著下降，需查数据表曲线
老化率：约2.5%每十年（X5R材料典型值）
端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
存储温度范围：-55°C ~ +125°C
最大焊接温度：260°C（根据J-STD-020）
1210X476M100NT作为一款高容值X5R陶瓷电容器，具备优异的体积效率，在1210封装中实现47μF的电容值，体现了现代MLCC制造工艺的进步。X5R介质材料提供了良好的温度稳定性，其电容变化在-55°C至+85°C范围内控制在±15%以内，相较于Y5V等材料具有更优的热稳定性，适合在温变环境中稳定工作。然而，该类电容器的一个显著特性是其对直流偏置电压的敏感性：当施加接近额定电压的直流偏压时，实际可用电容可能大幅衰减，例如在10V偏压下，有效电容可能仅剩初始值的50%甚至更低，因此在电源去耦设计中必须结合KEMET提供的DC偏压曲线进行精确评估。
此外，X5R材料具有一定的老化特性，电容值会随时间缓慢下降，典型老化率为每十年2.5%，但可通过加热至居里点以上（如回流焊过程）复位老化过程。该器件的低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）使其在高频去耦应用中表现优异，远优于同容量的铝电解或钽电容。其固态陶瓷结构也赋予了高可靠性、长寿命和耐振动能力，适用于严苛环境。需要注意的是，由于1210封装尺寸相对较大且为陶瓷材质，该器件对PCB机械应力（如弯曲、热胀冷缩）较为敏感，易产生裂纹导致短路或参数漂移，建议在布局时避免靠近板边或应力集中区域，并采用适当的焊盘设计和底部填充工艺以增强机械稳定性。
1210X476M100NT广泛应用于各类需要中等容量去耦和储能功能的电子电路中。在数字系统中，常用于微处理器、FPGA、ASIC和内存模块的电源引脚旁路，有效抑制高频噪声和瞬态电流波动，提升电源完整性。在DC-DC转换器电路中，可作为输入滤波电容或输出平滑电容，配合其他元件降低纹波电压，提高转换效率。此外，该器件也适用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，因其小型化和高容量特性有助于节省空间并延长电池续航。
在工业控制和通信设备中，该电容可用于传感器信号调理电路、ADC/DAC参考电压滤波以及接口电路的噪声抑制。由于其具备较好的温度稳定性，也可用于工作环境较宽的户外或车载电子系统（在温度范围内）。在电源管理单元（PMU）中，常用于多级滤波网络，与其他容值电容并联，覆盖更宽的频率响应范围。需要注意的是，尽管其标称电压为10V，但在实际应用中应避免长时间工作在接近额定电压的状态，建议至少保留20%-30%的电压裕量，同时注意避免反向电压或过压冲击。对于高可靠性要求的应用，还需考虑热循环、湿度和机械振动对长期性能的影响，并进行充分的可靠性验证测试。
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"C3225X5R1C476M",
"GRM32MR71C476ME18",
"CL21B476MNQNNNE",
"EMK325BJ476MM-TR"
]
