时间：2025/6/12 15:04:04
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1210N820K631CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率场效应晶体管（MOSFET）。它适用于高频率、高效率的电源转换应用，具有极低的导通电阻和快速开关特性。这款器件通常被设计用于服务器电源、通信设备、工业电机驱动器以及太阳能逆变器等场景。
该型号中的“1210”表示封装类型，“N”代表N沟道，“820”是导通电阻值（mΩ级别），而后面的字母和数字组合则是供应商特定的标识。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：82mΩ
栅极电荷：90nC
总电容：2200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1210N820K631CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，确保在高电流下有更低的功耗。
2. 高速开关能力，支持高频操作，从而减小磁性元件尺寸并提升系统效率。
3. 内置ESD保护电路，增强可靠性。
4. 具备良好的热性能，适合长时间高负载运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 使用DFN封装，有助于提高散热性能并简化PCB布局。
这款 GaN MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动汽车充电设施
4. 工业级电机控制器
5. 太阳能微逆变器
6. 数据中心高效电源解决方案
其高效率和高频性能使其成为现代电力电子系统的理想选择。
1210N820K621CT, 1210N820K641CT
