时间：2025/9/8 11:33:28
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50VXG8200M30X50 是一款高电压、高电流的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等高功率应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该型号的封装形式为TO-247，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：500V
最大漏极电流(ID)：8.2A
导通电阻(RDS(on))：300mΩ
栅极电荷(Qg)：50nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-247
50VXG8200M30X50具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。由于采用了先进的沟槽式技术，该器件具备出色的开关性能，适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提升了响应速度。
此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保长期运行的可靠性。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片的连接，适用于各种高功率应用场景。
该器件还具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，增强了系统的安全性与稳定性。此外，50VXG8200M30X50的栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的功耗，提升整体系统的能效。综合来看，这款MOSFET在性能、效率和可靠性方面都表现出色，是高功率应用中的理想选择。
50VXG8200M30X50主要应用于高功率电子系统中，如工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电焊设备等。在这些应用中，该器件能够有效管理高电压和高电流，提供高效的功率转换和稳定的性能表现。此外，它也适用于需要高可靠性和耐高温能力的工业控制系统和电源模块。
STP8NK50Z, IRFGB40N50, FGP50N50
