1210N181J500CT 是一款高功率氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET),专为高频和高效能应用设计。该器件采用增强型 GaN 技术,具有出色的开关性能和低导通电阻,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和射频放大器等领域。其封装形式通常为表面贴装类型,方便自动化生产并提高散热性能。
该型号中的具体标识含义如下:1210 表示产品系列,N181 表示耐压等级(约 180V),J500 表示最大电流能力(约为 500A 峰值),CT 表示特定封装或温度范围。
额定电压:180V
额定电流:50A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:25nC
反向恢复时间:<10ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1210N181J500CT 的主要特性包括:
1. 高效率:得益于低导通电阻和低栅极电荷,能够显著减少导通和开关损耗。
2. 快速开关速度:具备超低的反向恢复时间和快速开关能力,适合高频应用。
3. 热稳定性:能够在高温环境下稳定运行,并支持更高的结温操作。
4. 高可靠性:通过严格的测试和筛选流程,确保在各种恶劣条件下的长期稳定性。
5. 小型化设计:表面贴装封装有助于缩小整体电路尺寸,同时优化热管理。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源:如服务器、通信设备及工业电源中的 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 电机驱动:用于电动工具、家电和工业电机控制。
3. 充电器与适配器:提升便携式电子设备充电效率。
4. 新能源汽车:应用于车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
5. 射频功率放大器:满足高性能无线通信系统需求。
1210N181J650CT, 1210N200J500CT