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1210N181J202LT 发布时间 时间:2025/12/25 19:01:13 查看 阅读:14

1210N181J202LT 是一款由 Vishay BC Components 生产的高电压多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于 CeraLink 系列,专为高频开关电源应用设计,尤其是在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体广泛应用的现代电力电子系统中表现出色。其主要特点是具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),同时在高频条件下仍能保持较高的有效电容值。这种电容器采用先进的铁电材料技术,在特定工作电压下可提供稳定的电容性能,并具备良好的温度稳定性和长期可靠性。由于其紧凑的表面贴装封装形式(1210 封装,即 3.2mm x 2.5mm),非常适合用于空间受限但对功率密度要求高的电路板布局。此外,该型号符合 RoHS 指令要求,适用于无铅焊接工艺。

参数

产品类型:陶瓷电容器
  类别:多层陶瓷电容器(MLCC)
  系列:CeraLink?
  电容:180pF
  容差:±5%
  额定电压:2000V DC
  温度系数/电介质:NPO / C0G(近似)
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  外壳尺寸:1210(3225 公制)
  长度:3.2mm
  宽度:2.5mm
  高度:2.0mm
  安装类型:表面贴装(SMD)
  端接类型:镍阻挡层,焊料涂层
  老化率:≤ ±0.2% / 1000 小时
  绝缘电阻:≥ 10000 MΩ 或 R·C ≥ 1000 S,取较大者
  自谐振频率(SRF):典型值 > 500 MHz
  等效串联电阻(ESR):典型值 < 10 mΩ
  等效串联电感(ESL):典型值 < 0.4 nH

特性

1210N181J202LT 具备卓越的高频去耦与滤波能力,这得益于其极低的等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)。在高频开关电源中,尤其是使用宽禁带半导体如 GaN 和 SiC 的场景下,传统 MLCC 往往因寄生参数导致性能下降,而该器件通过优化内部电极结构和材料配方,显著降低了这些不利影响,从而能够在数百兆赫兹频率范围内维持较高的阻抗抑制能力。其铁电陶瓷材料虽不完全等同于传统的 C0G/NP0 材料,但在实际应用中表现出接近线性的电压响应和较小的电容随温度变化率,确保了在不同工况下的稳定性。
  该电容器还具备优异的抗直流偏压特性,在接近额定电压的工作状态下仍能保持较高比例的有效电容值,这是普通高介电常数陶瓷电容难以实现的优势。此外,它具有出色的脉冲耐受能力和抗热冲击性能,可在快速充放电循环中保持结构完整性和电气性能稳定。器件经过严格的老化测试和寿命验证,确保在严苛环境下的长期可靠性。1210 封装形式兼顾了机械强度与小型化需求,适合自动化贴片生产流程,并能在回流焊过程中承受多次热循环而不损坏。所有端子均采用镍阻挡层加锡涂层设计,增强了可焊性并防止银迁移问题,提升了整体安全性与耐用性。

应用

1210N181J202LT 主要应用于需要高效高频去耦的电力电子系统中。典型用途包括 GaN 和 SiC 功率晶体管的栅极驱动电路旁路电容,用于吸收高频噪声并稳定供电电压;也可作为射频功率放大器中的耦合或旁路电容,因其低 ESL 特性可有效减少信号失真。在开关模式电源(SMPS)、DC-DC 转换器、服务器电源模块以及电信整流器中,该器件常被用作初级侧或次级侧的高频滤波元件,以提升系统效率并降低电磁干扰(EMI)。
  此外,该电容器适用于工业电机驱动、电动汽车车载充电器(OBC)、充电桩电源模块以及光伏逆变器等高功率密度设备中的局部储能和瞬态响应支持。在测试与测量仪器领域,由于其稳定的电学特性和宽频响应,也常用于精密高速采样电路或高频信号调理模块中。由于其高耐压特性(2000V DC),还可用于某些高压偏置电路或脉冲发生器中作为储能或耦合元件。总之,凡是要求小体积、高耐压、低寄生参数和高频率响应的应用场合,1210N181J202LT 都是一个理想选择。

替代型号

[
   "CL21A181JQCNMQNC",
   "CC0603JRNPO9BN181",
   "GRM31MR71E225KA12K",
   "VJ0805Y181JXEAJ",
   "AC3218BT181JV4",
   "KOA Speer TNPW e3 Series (类似功能,需确认规格)"
  ]

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