BSS138BKS 时间：2025/9/15 3:53:48 阅读：4

BSS138BKS是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于低电压开关应用。该器件采用小信号封装，具有快速开关特性和低导通电阻的特点。BSS138BKS通常用于逻辑驱动电路、负载开关、电平转换和电源管理等场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

BSS138BKS具有优异的开关性能和可靠性，适用于低功率应用。该器件的栅极驱动电压范围宽，可在3.3V至15V之间正常工作，使其能够兼容多种逻辑电平。此外，BSS138BKS具备良好的热稳定性和抗静电能力，适合在工业环境和便携式设备中使用。
　　该MOSFET的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。由于其低漏极电流限制，BSS138BKS主要用于信号开关而非大功率负载控制。
　　在导通状态下，BSS138BKS表现出较低的导通电阻，有助于减少功耗并提高系统效率。此外，该器件具备快速的上升和下降时间，适合用于高频开关应用。由于其优异的性能和广泛的应用范围，BSS138BKS成为许多电子设计中的首选MOSFET之一。

应用

BSS138BKS主要应用于低电压开关电路，如逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制、电源管理模块和信号路由等。它也常用于电池供电设备中的负载开关，以减少静态电流和延长电池寿命。此外，该器件适用于工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域。
　　在具体应用中，BSS138BKS可以作为小型负载（如LED、继电器线圈或小型电机）的开关，或者作为其他MOSFET的栅极驱动开关。由于其良好的导通特性和封装小巧，BSS138BKS也适用于需要多路复用或信号切换的电路设计。
　　此外，BSS138BKS还常用于数字电路中，作为电平转换器，将低电压逻辑信号转换为较高电压信号以驱动外围设备。这种应用常见于微控制器与外围设备之间的接口电路。