时间：2025/6/3 14:03:55
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1210N122K501CT 是一款由 Vishay 提供的表面贴装功率 MOSFET，属于 SiHF12N120E 系列。该器件采用 N 沟道技术，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。其封装形式为 TO-Leadless（TOLL），能够提供高电流密度和低导通电阻，同时支持高效散热。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：12.6A
导通电阻（典型值）：220mΩ
栅极电荷：48nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-Leadless（TOLL）
1210N122K501CT 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括：
1. 高击穿电压，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗。
3. 优化的栅极电荷设计，确保快速开关速度和高效率。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 支持高温运行，能够在极端条件下保持稳定性能。
6. 封装紧凑，便于表面贴装和自动化生产。
这些特性使其非常适合用于工业级和消费级的高功率电子设备中。
1210N122K501CT 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关管。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂组件。
4. 太阳能逆变器和其他新能源系统中的功率转换模块。
5. 电磁阀和继电器驱动等需要大电流控制的应用。
由于其高压能力和低损耗表现，这款 MOSFET 在多种电力电子领域都能发挥重要作用。
SiHF12N120E, IRFP260N, STP12NM120
