封装尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　电容值：8.2nF (822 = 82 × 102 pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　温度系数：±15% (-55°C 至 +125°C)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　端接类型：镍钯端电极（可焊性强）
　　绝缘电阻：≥4000 MΩ 或 C×V ≥ 1000 S
　　额定寿命：>10万小时 @ 额定电压与最高工作温度
　　老化率：≤2.5% / decade hour (典型X7R特性)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

X7R介质材料赋予了1210B822K501LT优异的温度稳定性，使其在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容变化不超过±15%。这种稳定的电气性能使得该电容器非常适合用于需要长期可靠运行的工业和汽车级应用。此外，X7R材质相较于Y5V等高介电常数材料，在温度、偏压和时间方面的电容漂移更小，提供了更好的整体稳定性。尽管其介电常数低于某些高K材料，但仍能实现较高的单位体积电容量，适合大多数去耦和滤波场景。
　　该电容器采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内部电极（通常为银钯合金），显著增加了有效极板面积，从而在紧凑的1210封装中实现了8.2nF的较大电容值。这种结构不仅提升了储能能力，还降低了等效串联电感（ESL），有助于在较高频率下维持良好的阻抗特性。同时，较低的ESL和适中的等效串联电阻（ESR）使其在电源轨去耦时能够快速响应瞬态电流变化，有效抑制高频噪声。
　　1210B822K501LT具备良好的直流偏压特性，在接近额定电压工作时仍能保持大部分标称电容。虽然X7R材料会随施加电压增加而出现一定程度的电容下降，但相比其他高K介质已属优良水平。这一特性对于工作电压波动较大的系统尤为重要，确保滤波和稳定功能不因电压变化而失效。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅及其他有害物质，适用于无铅回流焊接工艺，兼容现代自动化贴片生产线。
　　机械强度方面，1210封装在尺寸与抗应力之间取得良好平衡，相比更小的0603或0805封装更能抵抗PCB弯曲和热循环引起的开裂风险。端电极为镍钯镀层，外覆锡层，提供优异的可焊性和耐腐蚀性，保证长期连接可靠性。批量生产中的一致性高，适合大规模自动化装配。

1210B822K501LT常用于模拟与数字混合信号系统的电源去耦网络，特别是在IC供电引脚附近作为局部储能元件，吸收开关噪声并稳定电压。它也广泛应用于DC-DC转换器的输入输出滤波环节，配合电感构成LC低通滤波器，有效平滑纹波电压，提升电源质量。在射频和无线通信模块中，该电容器可用于偏置电路的交流接地、级间耦合以及匹配网络中的调谐元件，因其稳定的X7R特性可在不同环境条件下维持电路性能一致性。
　　在工业控制系统中，如PLC、传感器接口和电机驱动器，该器件用于抑制电磁干扰（EMI）和防止噪声串扰，提高系统抗扰度。医疗电子设备中同样采用此类电容进行信号调理和电源净化，保障关键电路的精确运行。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，1210B822K501LT被用于音频放大器旁路、显示屏背光驱动滤波以及处理器周边去耦，满足小型化与高性能并重的设计需求。
　　由于其50V额定电压等级，该电容器适用于中低压电源系统（如5V、12V、24V总线），特别适合在存在电压尖峰或浪涌风险的应用中提供额外安全裕度。例如，在汽车电子中的车身控制模块或车载信息娱乐系统中，尽管工作电压为12V或24V，但瞬态脉冲可能远超此值，使用50V器件可增强系统鲁棒性。同时，其宽温工作能力也适应车辆内外温差大的使用环境。

C3225JB-1H822K