型号：1206X226M6R3CT
　　制造商：KEMET (Vishay)
　　封装/外壳：1206 (3216公制)
　　电容值：22μF
　　额定电压：6.3V DC
　　容差：±20%
　　介质材料：X7R
　　温度范围：-55°C ~ +125°C
　　端接类型：三层端子（Cu/Ni/Sn）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分等级）

1206X226M6R3CT采用X7R型陶瓷介质材料，这是一种稳定的铁电陶瓷材料，能够在宽温度范围内维持电容性能的相对稳定。X7R材料的特点是在-55°C到+125°C之间电容变化不超过±15%，相较于Y5V等高介电常数材料，虽然其单位体积电容密度较低，但温度稳定性更优，适合用于需要长期稳定工作的去耦和滤波电路。该电容器的标称电容为22μF，在6.3V额定电压下可实现较高能量存储能力，同时保持较小的1206封装尺寸，体现了现代MLCC在高容量与小型化之间的平衡发展。
　　该器件采用三层端接结构（Tri-Layer Termination, CT），即铜芯层、中间镍阻挡层和外部电镀锡层。这种结构极大提升了元件的机械强度和抗热冲击能力，有效防止在多次回流焊或热循环过程中出现端子开裂或脱层现象。同时，镍层能阻止铜扩散至锡层，避免氧化导致焊接不良；锡层则提供良好的可焊性，兼容无铅和有铅焊接工艺。该结构还增强了器件的耐潮湿性和抗腐蚀能力，使其更适合应用于高湿度或恶劣环境下的电子产品。
　　在电气性能方面，该电容适用于中低频滤波、电源轨去耦以及DC-DC变换器输出端的平滑滤波。由于其直流偏压特性较明显，在接近6.3V工作电压时实际可用容量可能显著低于标称值（例如在6.3V偏压下可能仅保留40%-60%的标称容量），因此在关键应用中需参考制造商提供的直流偏压曲线进行设计评估。此外，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提高电源系统的瞬态响应能力和噪声抑制效果。整体而言，1206X226M6R3CT是一款兼顾性能、可靠性和工艺适应性的通用型高容值陶瓷电容。

1206X226M6R3CT广泛应用于各类需要中等容量储能与滤波功能的电子设备中，尤其适用于空间受限但对可靠性有一定要求的应用场景。常见用途包括移动通信设备中的电源管理单元（PMU）去耦，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于稳定处理器核心电压，吸收高频噪声，提升系统稳定性。在便携式消费类电子产品中，该电容常被配置于LDO稳压器输入/输出端或开关电源（如Buck/Boost转换器）的输入滤波网络中，以减少电压纹波和电磁干扰。
　　在工业控制与自动化领域，该器件可用于PLC模块、传感器接口电路和嵌入式控制器的电源路径中，提供稳定的局部能量供应，抑制因负载突变引起的电压波动。此外，在汽车电子系统中，尽管该型号未明确标注AEC-Q200认证全系列覆盖，但在非动力总成类应用如车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块或车身控制模块中仍可找到其应用踪迹，前提是满足相应的环境与寿命要求。
　　由于其良好的温度稳定性和三层端子带来的高可靠性，该电容也适用于医疗设备、测试仪器和物联网节点等长期运行且维护困难的设备中。在这些应用中，元器件的失效风险必须尽可能降低，而1206X226M6R3CT通过优化材料与结构设计，在成本与性能之间实现了良好折衷。值得注意的是，当用于大电流瞬态响应场合时，应配合使用小容值高频去耦电容（如0.1μF）形成多级滤波网络，以覆盖更宽的频率响应范围，从而全面提升电源完整性。

C1206X226M6RALTU
　　CL10A226MP8NNNC
　　GRM32ER7E63ME11L