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1206N1R8B501CT 发布时间 时间:2025/7/12 12:30:22 查看 阅读:18

1206N1R8B501CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的电子元器件,具体属于氮化镓晶体管系列。该型号主要设计用于高频、高效能的应用场景,例如电源管理、射频放大器和高速开关电路。其封装形式为表面贴装型(SMD),尺寸兼容标准的 1206 封装规范,具有高功率密度和低导通电阻的特点。
  该型号中的“1R8”代表其导通电阻为 1.8 毫欧(mΩ),而“B501”则表示特定的产品系列和技术等级。此外,“CT”标识通常与温度范围或测试条件相关。

参数

封装:1206
  导通电阻:1.8 mΩ
  最大漏源电压:50 V
  最大栅源电压:±6 V
  连续漏极电流:30 A
  脉冲漏极电流:90 A
  功耗:150 W
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  栅极电荷:30 nC
  反向恢复时间:无(因 GaN 技术特性)

特性

1206N1R8B501CT 的主要特性在于采用先进的氮化镓材料,使其具备卓越的高频性能和热效率。相比传统的硅基 MOSFET,该芯片能够实现更快的开关速度,同时减少开关损耗和导通损耗。
  此外,该器件内部集成保护功能,包括过流保护和短路保护,提高了系统可靠性。其低寄生电感设计有助于优化高频下的动态表现,非常适合需要高效率和快速响应的场景。
  在实际应用中,由于其紧凑的封装尺寸和出色的电气性能,该芯片特别适合空间受限但对性能要求较高的设计环境。
  典型应用场景包括但不限于 DC-DC 转换器、无线充电模块、LED 驱动器以及各类工业自动化设备中的电源管理系统。

应用

1206N1R8B501CT 广泛应用于需要高性能和高效率的电力电子领域,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. LED 照明驱动电路
  4. 无线充电发射端和接收端
  5. 电动汽车(EV)车载充电器
  6. 工业电机驱动器
  7. 射频功率放大器
  这些应用充分利用了该器件的低导通电阻、高开关频率和高效的散热能力,从而显著提升系统的整体性能。

替代型号

1206N1R8B502CT, 1206N2R0B501CT, 1206N1R5B501CT

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1206N1R8B501CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.55111卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-