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1206N183G160CT 发布时间 时间:2025/6/28 17:16:28 查看 阅读:4

1206N183G160CT 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,采用表面贴装封装设计。该器件主要面向高频、高效能的电力电子应用。由于其高开关速度和低导通电阻特性,这款 GaN 器件能够显著提升电源转换效率并减少系统尺寸。
  与传统的硅基 MOSFET 相比,1206N183G160CT 在高频操作下具有更优的性能表现,适用于 DC-DC 转换器、无线充电模块以及 LED 驱动等场景。

参数

额定电压:180V
  最大连续漏极电流:3A
  导通电阻:16mΩ
  栅极电荷:4.5nC
  反向恢复时间:无(GaN 特性)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

1206N183G160CT 的核心优势在于其采用了先进的氮化镓技术,具备以下特点:
  - 高效功率转换:得益于低导通电阻和快速开关能力,可大幅降低能量损耗。
  - 小型化设计:表面贴装封装使得它非常适合紧凑型电路布局,并支持更高密度的 PCB 设计。
  - 高可靠性:在高温环境下依然保持稳定的性能输出。
  - 宽禁带半导体材料:相比传统硅器件,GaN 提供了更高的击穿场强和热导率,从而提升了整体效能。
  - 低电磁干扰 (EMI):优化的开关行为减少了不必要的噪声生成。

应用

该型号广泛应用于各种高性能电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  - 高频 DC-DC 转换器
  - 充电器及适配器
  - 无线充电设备
  - 汽车电子中的负载开关
  - 工业自动化控制中的脉宽调制 (PWM) 驱动
  - 高效能 LED 照明驱动电路
  这些应用充分利用了其高速开关能力和高效率特性,使其成为现代电力系统中不可或缺的关键元件。

替代型号

1206N180G150CT
  1206N200G170CT

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1206N183G160CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥1.00568卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.075"(1.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-