时间：2025/6/28 17:16:28
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1206N183G160CT 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，采用表面贴装封装设计。该器件主要面向高频、高效能的电力电子应用。由于其高开关速度和低导通电阻特性，这款 GaN 器件能够显著提升电源转换效率并减少系统尺寸。
与传统的硅基 MOSFET 相比，1206N183G160CT 在高频操作下具有更优的性能表现，适用于 DC-DC 转换器、无线充电模块以及 LED 驱动等场景。
额定电压：180V
最大连续漏极电流：3A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：4.5nC
反向恢复时间：无（GaN 特性）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
1206N183G160CT 的核心优势在于其采用了先进的氮化镓技术，具备以下特点：
- 高效功率转换：得益于低导通电阻和快速开关能力，可大幅降低能量损耗。
- 小型化设计：表面贴装封装使得它非常适合紧凑型电路布局，并支持更高密度的 PCB 设计。
- 高可靠性：在高温环境下依然保持稳定的性能输出。
- 宽禁带半导体材料：相比传统硅器件，GaN 提供了更高的击穿场强和热导率，从而提升了整体效能。
- 低电磁干扰 (EMI)：优化的开关行为减少了不必要的噪声生成。
该型号广泛应用于各种高性能电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 高频 DC-DC 转换器
- 充电器及适配器
- 无线充电设备
- 汽车电子中的负载开关
- 工业自动化控制中的脉宽调制 (PWM) 驱动
- 高效能 LED 照明驱动电路
这些应用充分利用了其高速开关能力和高效率特性，使其成为现代电力系统中不可或缺的关键元件。
1206N180G150CT
1206N200G170CT
