时间：2025/6/14 9:01:26
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1206N181G631CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频、高效能功率转换应用。该器件采用行业标准的表面贴装封装，尺寸为 1206（3.2 mm x 1.6 mm），具有卓越的开关性能和低导通电阻特性。其设计旨在满足现代电源系统对高效率和小型化的严格要求。
该 GaN 器件支持高频操作，能够显著减少磁性元件和电容器的体积，从而优化整体系统尺寸和成本。此外，它还具备快速开关能力，可有效降低开关损耗，非常适合 AC-DC 和 DC-DC 转换器等应用。
型号：1206N181G631CT
类型：GaN HEMT
额定电压：650 V
额定电流：18 A
导通电阻：18 mΩ
栅极电荷：45 nC
反向恢复时间：无（零反向恢复）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：1206 表面贴装
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：18 A
1206N181G631CT 的主要特性包括：
1. 高效的 GaN 技术提供低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低功率损耗。
2. 零反向恢复电荷（Qrr）确保了高频运行时的卓越性能。
3. 小型化封装设计使其适合紧凑型电路板布局。
4. 支持高达 150℃ 的结温，增强了系统的可靠性和热管理能力。
5. 具备优异的抗 ESD 性能，提升了制造过程中的耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
1206N181G631CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，例如服务器电源、电信电源和工业电源。
2. 图形处理器单元 (GPU)相 VRM 供电模块。
3. 消费类快充适配器，如 USB-PD 充电器。
4. 可再生能源系统中的逆变器和功率转换器。
5. 电动汽车车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
6. 工业电机驱动和伺服控制系统。
由于其高频和高效的特点，该器件在各种需要高性能功率转换的应用中表现出色。
1206N160G631CT, 1206N140G631CT
