时间：2025/6/28 17:13:30
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1206N180G500CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用表面贴装封装，适用于高频、高效功率转换应用。该器件具有低导通电阻和高开关频率的特性，可显著提高电源系统的效率和功率密度。
该型号中的具体命名规则包括：1206代表封装尺寸（1206英寸），N表示氮化镓技术，180为最大漏源电压（180V），G为GaN标识，500为导通电阻（通常以毫欧计），CT表示商业温度范围。
最大漏源电压：180V
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：3nC
最大漏极电流：12A
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装类型：1206 SMD
1206N180G500CT 的主要特性是其采用了先进的氮化镓技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗，从而提高系统效率。
2. 高开关速度，支持 MHz 级别的开关频率，非常适合高频应用如 D类音频放大器或无线充电。
3. 小型化封装设计，适合高密度 PCB 布局。
4. 出色的热性能，能够承受较高的结温。
5. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
6. 支持硬开关和软开关拓扑，兼容多种功率变换架构，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
1206N180G500CT 主要应用于高频高效的功率转换领域，典型应用包括：
1. 开关模式电源 (SMPS)，特别是需要小型化和高效率的设计。
2. 充电器和适配器，尤其在快充方案中表现出色。
3. 电机驱动电路，用于工业自动化设备。
4. LED 驱动器，提供更高的亮度控制精度。
5. 无线充电系统，满足高效率的能量传输需求。
6. 可再生能源系统中的逆变器模块，例如太阳能微逆变器。
7. 数据中心服务器电源和其他高性能计算设备的供电单元。
1206N180G600CT
1206N200G500CT
