STD5N52U是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和较高的电流承载能力。这种MOSFET适用于需要高效率和快速开关的应用场合。
该器件的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外,它还具备良好的热特性和电气性能。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:52A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:38nC
总功耗:125W
工作结温范围:-55℃至+175℃
STD5N52U是一款高性能的功率MOSFET,主要特性包括:
1. 高电流处理能力:其额定电流为52A,能够满足大功率应用的需求。
2. 低导通电阻:在特定条件下,其导通电阻仅为1.4mΩ,从而降低导通损耗。
3. 快速开关速度:由于其较低的栅极电荷(38nC),可以实现更快的开关切换。
4. 热稳定性强:支持高达175℃的工作结温范围,保证在高温环境下稳定运行。
5. 封装形式可靠:采用标准的TO-220封装,易于安装且散热性能良好。
STD5N52U适合用于多种电力电子应用,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. DC-DC转换器和逆变器中的高频开关元件。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
总之,任何需要高效能功率开关的地方都可以考虑使用此MOSFET。
IRFZ44N, STP55NF06L, FDP5580