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1206N150G500CT 发布时间 时间:2025/6/5 18:09:38 查看 阅读:7

1206N150G500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,采用DFN8封装形式。该器件具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)等应用领域。
  作为第三代半导体材料器件,1206N150G500CT 能够在高频率下工作,同时提供较高的效率,是传统硅基MOSFET的理想替代方案。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:50mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关频率:超过5MHz
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

1206N150G500CT 拥有非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为50mΩ,在高频应用中能够显著降低导通损耗。此外,该器件的栅极电荷较低,使得驱动功耗得以减少,从而提高了整体效率。
  GaN 技术还赋予了该器件更快的开关速度和更高的工作频率,这不仅有助于减小无源元件的尺寸,还能实现更加紧凑的设计。其优异的热性能确保了即使在高温环境下也能稳定运行。
  另外,该器件具有较强的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了系统的可靠性。

应用

1206N150G500CT 广泛应用于消费类电子产品中的高效能电源管理场景,如笔记本电脑适配器、智能手机快充头、USB-PD控制器等。
  在工业领域,这款器件也可用于LED驱动器、太阳能逆变器以及电信设备中的DC-DC转换器。由于其支持高频操作,还可以用作无线充电系统中的关键组件。

替代型号

1206N150GA500CT, EPC2045, Infineon IPD050N15S6G

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1206N150G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.25205卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-