1206N150G500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,采用DFN8封装形式。该器件具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)等应用领域。
作为第三代半导体材料器件,1206N150G500CT 能够在高频率下工作,同时提供较高的效率,是传统硅基MOSFET的理想替代方案。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:9A
导通电阻:50mΩ
栅极电荷:30nC
开关频率:超过5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
1206N150G500CT 拥有非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为50mΩ,在高频应用中能够显著降低导通损耗。此外,该器件的栅极电荷较低,使得驱动功耗得以减少,从而提高了整体效率。
GaN 技术还赋予了该器件更快的开关速度和更高的工作频率,这不仅有助于减小无源元件的尺寸,还能实现更加紧凑的设计。其优异的热性能确保了即使在高温环境下也能稳定运行。
另外,该器件具有较强的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
1206N150G500CT 广泛应用于消费类电子产品中的高效能电源管理场景,如笔记本电脑适配器、智能手机快充头、USB-PD控制器等。
在工业领域,这款器件也可用于LED驱动器、太阳能逆变器以及电信设备中的DC-DC转换器。由于其支持高频操作,还可以用作无线充电系统中的关键组件。
1206N150GA500CT, EPC2045, Infineon IPD050N15S6G