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1206N150F500CT 发布时间 时间:2025/7/1 19:30:26 查看 阅读:6

1206N150F500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用行业标准的表面贴装封装,适用于高频和高效能应用场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高功率密度等特点,非常适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和无线充电等应用领域。
  这款 GaN 晶体管结合了高性能与易于集成的特点,能够显著提升电力电子系统的效率和功率密度,同时减少系统体积和重量。

参数

型号:1206N150F500CT
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  额定电压:150V
  额定电流:30A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):35nC
  反向恢复电荷:无(零反向恢复)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:DFN8(表面贴装)
  漏源击穿电压:≥170V

特性

1206N150F500CT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下保持较低的传导损耗。
  2. 快速开关性能,支持高达数兆赫兹的工作频率,从而减小磁性元件和电容的尺寸。
  3. 零反向恢复电荷 (Qrr),消除了传统硅 MOSFET 在硬开关应用中的反向恢复问题。
  4. 良好的热稳定性,允许在高温环境下长期运行,适用于工业及汽车级应用。
  5. 紧凑的 DFN8 封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  6. 高可靠性,通过了严格的电气和机械测试流程,确保在各种恶劣条件下的稳定表现。

应用

1206N150F500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,提供更高的效率和功率密度。
  2. 电机驱动控制器,实现更精确的速度和扭矩控制。
  3. 充电器和适配器,包括笔记本电脑和智能手机的快充解决方案。
  4. 无线充电发射端和接收端模块,满足 Qi 标准和其他高效能量传输需求。
  5. 工业自动化设备中的脉宽调制 (PWM) 控制电路。
  6. 数据中心和电信基础设施中的高效电源管理系统。

替代型号

1206N150GA, 1206N150F550CT, EPC2045

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1206N150F500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.43375卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-