时间：2025/6/5 23:37:41
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1206N120G202CT 是一款表面贴装型的高压氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），属于高效能功率半导体器件。该型号基于氮化镓技术，具有高开关速度、低导通电阻和高效率等特性，广泛应用于高频电源转换器、DC-DC转换器、无线充电系统和其他需要高性能功率管理的场景。
该器件采用标准的1206封装形式，能够简化设计并提高电路板空间利用率。相比传统的硅基MOSFET，1206N120G202CT 提供了更优的性能表现和更小的尺寸。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：4A
导通电阻：200mΩ
栅极电荷：15nC
开关频率：超过10MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装类型：1206
1206N120G202CT 采用了先进的氮化镓技术，具备以下特点：
- 高击穿电压，支持高达120V的工作环境。
- 极低的导通电阻（Rds(on)），减少功率损耗，提升效率。
- 超快的开关速度，适用于高频应用场合。
- 更高的热稳定性，确保在高温条件下也能正常运行。
- 小型化的1206封装，节省PCB布局空间。
- 出色的电磁兼容性（EMC）表现，降低干扰风险。
- 环保无铅设计，符合RoHS规范。
该型号适用于多种高性能应用场景，包括但不限于：
- 高效DC-DC转换器
- 开关电源（SMPS）
- 充电器及适配器
- 无线充电模块
- 工业自动化设备中的功率控制
- 汽车电子系统中的辅助电源
- 可再生能源系统中的逆变器
1206N120G201CT, 1206N100G202CT
