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1206N120G202CT 发布时间 时间:2025/6/5 23:37:41 查看 阅读:5

1206N120G202CT 是一款表面贴装型的高压氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),属于高效能功率半导体器件。该型号基于氮化镓技术,具有高开关速度、低导通电阻和高效率等特性,广泛应用于高频电源转换器、DC-DC转换器、无线充电系统和其他需要高性能功率管理的场景。
  该器件采用标准的1206封装形式,能够简化设计并提高电路板空间利用率。相比传统的硅基MOSFET,1206N120G202CT 提供了更优的性能表现和更小的尺寸。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:200mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关频率:超过10MHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装类型:1206

特性

1206N120G202CT 采用了先进的氮化镓技术,具备以下特点:
  - 高击穿电压,支持高达120V的工作环境。
  - 极低的导通电阻(Rds(on)),减少功率损耗,提升效率。
  - 超快的开关速度,适用于高频应用场合。
  - 更高的热稳定性,确保在高温条件下也能正常运行。
  - 小型化的1206封装,节省PCB布局空间。
  - 出色的电磁兼容性(EMC)表现,降低干扰风险。
  - 环保无铅设计,符合RoHS规范。

应用

该型号适用于多种高性能应用场景,包括但不限于:
  - 高效DC-DC转换器
  - 开关电源(SMPS)
  - 充电器及适配器
  - 无线充电模块
  - 工业自动化设备中的功率控制
  - 汽车电子系统中的辅助电源
  - 可再生能源系统中的逆变器

替代型号

1206N120G201CT, 1206N100G202CT

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1206N120G202CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.74666卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-