1206N102F201CT 是一种片式电容器,采用多层陶瓷技术(MLCC)制造,具有高稳定性和低等效串联电阻(ESR)。该型号属于 C0G 温度特性系列,适用于需要高频率和高稳定性的电路应用。其封装尺寸为 1206 英寸(约 3.2mm x 1.6mm),适合表面贴装技术(SMT)使用。
此电容器主要应用于高频滤波、信号耦合、谐振电路以及射频电路中,能够提供优异的电气性能和可靠性。
封装:1206
标称容量:102 pF
容差:±1%
额定电压:200V
温度特性:C0G (NP0)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
等效串联电阻(ESR):低
介电常数:C0G
阻抗特性:高Q值
1206N102F201CT 具有以下特点:
- 高稳定性:由于采用 C0G(NP0)介质材料,其电容量在宽温度范围内几乎保持恒定,温度系数接近零。
- 高耐压能力:该电容器的额定电压高达 200V,能够在高压环境下可靠运行。
- 小型化设计:1206 封装使其非常适合空间受限的应用场景,同时支持高效自动化的 SMT 装配工艺。
- 低损耗:该电容器具有极低的 ESR 和 DF(耗散因子),适合高频应用场景。
- 长寿命:采用先进的陶瓷制造工艺,确保产品在长期使用中的可靠性。
1206N102F201CT 广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于:
- 高频通信设备中的滤波和耦合功能。
- 射频模块和无线通信系统中的谐振电路。
- 数据转换器和放大器中的旁路电容。
- 医疗仪器、工业控制和汽车电子中的信号处理电路。
- 消费类电子产品中的电源滤波和噪声抑制。
由于其高稳定性和高电压承受能力,该型号特别适合对精度和可靠性要求较高的场合。
12065C102F2GACD, KCX102F1206A