型号：QM50HE-H
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（@VGS=10V, ID=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：350pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（PD）：50W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

QM50HE-H的核心优势在于其优化的Trench结构设计，该结构显著降低了器件的导通电阻，从而减少导通损耗，提高能效表现。在实际应用中，尤其是在高频开关电源拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）或PFC电路中，低RDS(on)意味着更小的I2R损耗，有助于提升系统整体效率并降低温升。此外，该MOSFET具备较高的击穿电压（500V），可确保在高压输入条件下仍保持稳定的开关性能，适用于AC-DC转换器中整流后的高压侧开关。
　　器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为35nC，这使得它在高频工作状态下所需的驱动功率较小，有利于简化驱动电路设计并提升开关速度。同时，其输入电容和输出电容之间的良好匹配减少了开关过程中的电压和电流重叠，进一步降低了开关损耗，特别适合用于高频率工作的SMPS（开关模式电源）系统。
　　热稳定性方面，QM50HE-H采用高导热绝缘材料封装，TO-220F封装形式具备优异的散热能力，可在高温环境下长时间运行而不会出现热失控现象。内部芯片通过金线键合连接，提高了机械强度与长期可靠性。此外，该器件具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。
　　在制造工艺上，MagnaChip采用了严格的品质控制流程，确保每批次产品具有一致的电气参数和高良率。该器件还通过了多项国际安全与可靠性认证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等测试，适用于工业级和消费级应用。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端温度环境中稳定运行，是许多户外设备、工业电源模块的理想选择。

QM50HE-H广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，典型应用场景包括：通用AC-DC适配器与充电器（如笔记本电脑、显示器电源）、LED照明驱动电源、工业控制电源模块、小型逆变器、电机控制器、家用电器（如空调、洗衣机）中的功率开关电路，以及电信设备中的DC-DC转换前端开关管。由于其具备500V耐压和7A额定电流，特别适用于离线式反激变换器（Offline Flyback Converter）作为主开关器件，在80~150W功率等级的电源设计中表现出色。
　　在PFC（功率因数校正）升压电路中，QM50HE-H也可作为开关管使用，配合专用PFC控制器实现高功率因数和低谐波失真，满足能源效率标准（如Energy Star、IEC 61000-3-2）。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或在太阳能微逆变器中作为直流斩波开关元件。
　　得益于其良好的热性能和可靠性，QM50HE-H也被广泛用于需要长时间连续运行的工业设备中，例如PLC电源模块、工业传感器供电单元、医疗设备辅助电源等。在汽车电子外围电源系统（非车载部分）中也有一定应用潜力，尤其是在车载充电机（OBC）辅助电源或充电桩内部电源模块中。
　　对于设计工程师而言，QM50HE-H的引脚兼容性和成熟的技术文档支持使其易于替换同类产品，并快速完成原理图与PCB设计。配合合适的散热片使用，可在自然对流或强制风冷条件下实现高效散热，保障系统长期稳定运行。

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