封装尺寸：1206 (3216公制)
　　电容值：100nF (0.1μF)
　　电容容差：±10%
　　额定电压：25V
　　介质材料：X7R
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：典型DC偏压下电容变化率约-15% @ 额定电压
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 10000Ω·F（取较大者）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　老化率：≤2.5% / decade hour（X7R材料典型值）
　　等效串联电阻（ESR）：<100mΩ（频率依赖，典型值在1MHz下测量）
　　等效串联电感（ESL）：<0.5nH（典型值）
　　耐焊接热性能：符合IEC 61249-2-21标准，可承受多次回流焊过程
　　可燃性等级：UL 94 V-0（无引线片式元件）

X7R是一种稳定的铁电介质材料，属于II类陶瓷电容器范畴，具有较高的介电常数，能够在较小封装内实现较大的电容值。其名称中的“X”表示最低工作温度为-55°C，“7”表示最高工作温度为+125°C，“R”代表电容随温度的变化率不超过±15%。这意味着在整个-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化被控制在相对合理的区间内，适合对稳定性有一定要求但不需要精密补偿的应用场景。
　　相比I类陶瓷如C0G/NP0，X7R材料虽然不具备零温度系数和极低损耗的特性，但其体积效率更高，在相同尺寸下可提供更大的电容量，因此在去耦和滤波应用中更具优势。然而，X7R电容器的一个显著特点是其电容值会随着施加的直流偏置电压增加而下降，这种现象称为“电压系数”或“DC偏压效应”。例如，在接近额定电压25V时，实际可用电容可能仅为标称值的80%-85%，设计时必须予以考虑。
　　此外，X7R电容还表现出一定的老化特性，即电容值会随着时间推移缓慢降低，主要由于铁电畴结构的重新排列。老化速率约为每十年时间减少2.5%，且可通过高温烘烤（如150°C以上）恢复到初始状态。这一特性在长期运行的精密模拟电路中需特别注意。
　　机械方面，1206封装相较于更小尺寸（如0402或0603）具有更好的抗板弯开裂能力，但仍建议避免PCB过度弯曲或热应力冲击。该器件支持自动贴片工艺，并兼容无铅回流焊流程（峰值温度可达260°C）。
　　电气性能方面，X7R MLCC具备低ESR和低ESL，使其在中频范围内（kHz到几十MHz）表现出色，非常适合用作开关电源输出端的滤波电容或IC电源引脚的局部去耦元件。

该型号电容器广泛应用于各类需要中等电容值且对温度稳定性有一定要求的电子电路中。最常见的用途是在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC等）的电源引脚附近作为去耦电容，用于抑制高频噪声、稳定供电电压并防止瞬态电流波动引起的信号失真。由于其100nF的典型值正好落在多数高速逻辑器件推荐的去耦范围之内，配合更大容量的电解或钽电容使用，可形成多级滤波网络，有效覆盖从低频到高频的噪声频段。
　　在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器的输入和输出滤波环节，帮助平滑电压纹波并提高系统效率。尽管X7R材料存在DC偏压导致容量衰减的问题，但在轻载或中等负载条件下仍能提供足够的有效电容，尤其当多个并联使用时可弥补单个元件的性能损失。
　　此外，它也常见于模拟信号链路中的耦合与旁路应用，例如音频放大器、传感器接口电路或ADC/DAC前后级滤波。虽然不如C0G电容那样具备线性稳定特性，但对于非精密交流耦合任务而言，X7R已能满足大多数需求。
　　在工业控制、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、LoRa模组）、消费类电子产品（手机、平板、智能家居设备）以及车载信息娱乐系统中，这类电容器均扮演着基础而关键的角色。得益于其标准化封装和成熟制造工艺，12062R104K9B20D及其同类产品在全球供应链中具有良好的可获得性和成本效益。

GRM31CR61E104KA12L
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　　C2012X7R1E104K125AE
　　EMK316BJ104KL-T