时间：2025/9/8 4:52:39
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50MXC5600M25X40 是一款由 Micron Technology（美光科技）生产的 DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片具有高速数据访问能力，适用于需要大量数据缓存和快速读写操作的应用场景。它采用标准的DRAM架构，具备高密度存储和较低的功耗特性，广泛用于计算机系统、服务器、工业控制设备和其他需要高效数据处理的电子设备中。
容量：256MB
类型：DRAM
封装类型：TSOP
电压：2.3V - 3.6V
数据宽度：16位
时钟频率：166MHz
封装尺寸：54-TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
50MXC5600M25X40 是一款高性能的DRAM芯片，其核心特性包括高速数据传输率、低功耗设计和宽工作温度范围，使其适用于多种工业环境。该芯片支持异步和同步操作模式，允许在不同系统设计中灵活使用。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的紧凑性，同时降低电磁干扰（EMI）。
此外，该芯片具备良好的数据保持能力，在刷新周期内可维持数据完整性，确保系统运行的稳定性。其2.3V至3.6V的宽电压范围设计使其适用于多种电源管理系统，提高了兼容性。166MHz的高时钟频率提供了快速的数据访问能力，适用于图形处理、高速缓存和嵌入式系统的高性能需求。
该芯片还具有高可靠性和耐用性，适用于长期运行的工业控制设备和网络设备。Micron作为全球领先的存储器制造商，确保该芯片具备良好的技术支持和长期供货能力。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器、图形处理单元（GPU）缓存、视频监控设备和通信模块等领域。其高速存储能力使其适用于图像处理、数据缓冲和实时控制等高性能需求场景。
50MXC5600M25X40 可以替代的型号包括 CY7C1380B-166AXC（Cypress Semiconductor）和 IDT71V416S166BGI（Renesas）等。
