时间：2025/6/26 10:19:37
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12061A751JAT2A 是一款由 Vishay 生产的功率 MOSFET，采用 TO-263-3 (D2PAK) 封装。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。其出色的导通电阻和开关特性使其成为高效率功率转换的理想选择。
该型号属于 Vishay 的 SiHF 系列 MOSFET，具有较低的栅极电荷和输出电容，可显著减少开关损耗，同时具备较高的雪崩击穿能力以增强可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大连续漏极电流(Id)：148A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：79nC
总功耗(Ptot)：250W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263-3 (D2PAK)
12061A751JAT2A 具有低导通电阻 Rds(on)，可以降低传导损耗，提高系统效率。
其快速开关性能得益于较小的栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss，这使得它非常适合高频开关应用。
该器件还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持高效运行。
Vishay 的制造工艺确保了其具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性，从而提高了产品的可靠性。
此外，由于采用了 D2PAK 封装，该器件具有较大的散热面积，便于安装在散热片上以实现高效的热量管理。
12061A751JAT2A 主要应用于需要高电流和高效率的场景，例如：
工业级 DC-DC 转换器
电信设备中的功率模块
太阳能逆变器
电动车辆（EV）的电机驱动控制
不间断电源（UPS）系统
服务器及通信基础设施中的功率管理单元
IRFB4110TRPBF, FDP5570AN, STP150N06L
