型号：11N90L
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：11A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：44A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.75Ω（@VGS=10V, ID=5.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1200pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（PD）：150W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-247

11N90L的核心优势在于其高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，这使得它在高电压应用场景下仍能实现较高的能量转换效率。该器件采用先进的平面场效应晶体管技术，确保了在900V高电压下的长期可靠性。其导通电阻在室温下仅为约0.75Ω，这意味着在额定电流下产生的导通损耗相对较低，有助于减少整体系统的发热问题，提升能效表现。此外，11N90L具备较强的瞬态过压承受能力，能够有效抵御电路中可能出现的电压尖峰，避免因瞬时过压导致的器件击穿。器件的栅极结构经过优化设计，不仅降低了栅极电荷（Qg），还减小了开关过程中的能量损耗，从而提升了高频开关应用中的效率。
　　该MOSFET具有优良的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其最大结温可达150°C，并配备了高效的散热封装（如TO-220或TO-247），便于安装散热片以进一步增强散热能力。这种设计特别适用于长时间满负荷运行的工业设备。同时，11N90L具备较强的抗雪崩能力，意味着在发生意外过压或感性负载突变时，器件能够吸收一定的能量而不致损坏，提高了系统的鲁棒性。其快速的开关响应时间和较低的反向恢复时间（trr=45ns）也有助于减少开关过程中的交叉导通风险，尤其适合用于硬开关拓扑结构。
　　从制造工艺来看，11N90L遵循严格的品质控制流程，保证了批次间的一致性和长期供货的稳定性。器件通过了多项国际认证，符合RoHS指令要求，支持环保生产工艺。其引脚布局合理，兼容主流的PCB设计规范，便于自动化贴装和大规模生产。总体而言，11N90L是一款集高耐压、低损耗、高可靠性和易用性于一体的高性能功率MOSFET，适用于多种复杂工况下的电力电子系统。

11N90L主要应用于各类高电压、中等电流的开关电源系统中，例如AC-DC适配器、工业电源模块以及服务器电源单元。其900V的耐压能力使其非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关管使用。在LED照明驱动领域，尤其是大功率户外LED灯具电源中，11N90L因其高效率和高可靠性而被广泛采用。此外，该器件也常见于DC-DC升压或降压转换器中，用于太阳能光伏逆变器、电池储能系统的能量管理模块，以及电动汽车充电设备中的辅助电源部分。
　　在电机控制方面，11N90L可用于小型交流电机或直流电机的驱动电路中，特别是在单管或半桥配置下作为功率开关元件。其快速的开关速度和较低的开关损耗有助于提高电机驱动系统的动态响应能力并降低能耗。在家用电器如空调、洗衣机、微波炉等产品中，11N90L常用于PFC（功率因数校正）电路中，帮助提升电网侧的功率因数，减少谐波污染，满足EMI/EMC法规要求。
　　此外，11N90L还可用于不间断电源（UPS）、逆变焊机、感应加热设备等工业电源设备中。由于其具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，即使在高温、高湿或电磁环境复杂的工业现场也能稳定运行。综合来看，11N90L凭借其优异的电气性能和坚固的物理结构，已成为许多中高端电源设计方案中的首选功率开关器件。

STP10NK90ZFP
　　FQA11N90
　　IRFGB40
　　KSE11N90