型号：11N90-FC2
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：90 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：11 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：44 A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：11 mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：15 mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值2.1 V，范围1.5~2.5 V
　　栅极电荷（Qg）@10V：30 nC
　　输入电容（Ciss）：1700 pF
　　输出电容（Coss）：460 pF
　　反向恢复时间（trr）：未内置快恢复二极管
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

11N90-FC2采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化晶胞结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗。在Vgs=10V时，其典型Rds(on)仅为11mΩ，而在较低驱动电压4.5V下也能保持15mΩ的低阻值，这使得该器件不仅适用于传统的12V系统，也兼容基于3.3V或5V逻辑电平驱动的应用场景，提升了系统的灵活性。
　　该MOSFET具备出色的开关性能，其栅极电荷Qg仅为30nC（@Vgs=10V），配合较低的输入电容Ciss（1700pF），可有效减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度。这对于高频DC-DC转换器尤为重要，能够显著降低开关损耗，提升电源效率。同时，较低的输出电容Coss（460pF）也有助于减小关断过程中的能量损耗，进一步优化热管理表现。
　　器件采用PowerPAK SO-8封装，这是一种底部散热型表贴封装，具有优异的热传导性能。与传统SO-8相比，PowerPAK去除了引线框架下的金属连接条，直接将芯片连接至散热焊盘，大幅提升了热阻性能（θJC更低），确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度，增强了长期运行的可靠性。
　　11N90-FC2支持高达44A的脉冲漏极电流，表明其具备强大的瞬态电流承载能力，适合应对启动冲击或短时过载工况。其阈值电压范围适中（1.5~2.5V），避免了误触发的同时保证了良好的开启可控性。该器件还具备良好的雪崩耐量和抗di/dt能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。

11N90-FC2广泛应用于各类中压直流电源系统中，尤其适合对效率和空间有较高要求的设计场景。常见应用包括同步整流式降压（Buck）转换器，作为主开关或同步整流开关使用，因其低Rds(on)和快速开关特性，可显著提升转换效率，降低温升，适用于笔记本电脑主板、显卡供电模块以及服务器电源单元等。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中，控制直流电机或步进电机的正反转及调速功能，凭借其高电流能力和良好热性能，适用于小型工业设备、打印机、扫描仪和自动化执行机构。
　　此外，11N90-FC2也可用于电池管理系统（BMS）、LED恒流驱动电源、DC-AC逆变器以及电信整流模块中，作为功率开关元件实现高效的能量转换与分配。由于其封装尺寸小且支持自动贴片生产，特别适合高度集成化的PCB布局需求。
　　在热插拔控制器、负载开关和电源多路复用电路中，该器件同样表现出色，能够提供快速响应和低静态功耗，保护后级电路免受浪涌电流影响。其坚固的结构设计和宽工作温度范围也使其适用于工业环境下的严苛条件应用。

SI4410BDY-T1-GE3,IRF7832TRPBF,FDN360BN,DMG1012UFG