时间：2025/12/27 9:02:13
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11N80-FL是一款由华微半导体（Hua Micro）生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类中高功率电子设备中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具有优良的导通电阻与击穿电压平衡特性，能够在高温和高电压环境下稳定工作。11N80-FL的漏源击穿电压高达800V，适合用于高压应用场景，如AC-DC电源适配器、LED照明电源、光伏逆变器等。其封装形式为TO-220F（带绝缘片），便于安装在散热器上，有效提升热管理性能。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和抗过载能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。
由于其高耐压、低导通损耗和较高的开关效率，11N80-FL成为许多工业级电源设计中的优选器件。该MOSFET的栅极阈值电压适中，易于驱动，兼容标准逻辑电平信号控制电路，适用于多种PWM控制拓扑结构，包括反激式、正激式、LLC谐振变换器等。同时，它符合RoHS环保标准，不含铅，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造需求。
型号：11N80-FL
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：11A（@25°C）
连续漏极电流（Idc）：约7A
脉冲漏极电流（Idm）：45A
最大栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（@Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vth）：2.0V~4.0V
输入电容（Ciss）：约1100pF（@Vds=25V）
输出电容（Coss）：约350pF
反向恢复时间（trr）：约45ns
最大功耗（Pd）：125W（@Tc=25°C）
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220F
极性：N-Channel
是否符合RoHS：是
11N80-FL具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高耐压与相对较低的导通电阻之间的良好平衡。在800V的高击穿电压下，其Rds(on)仅为0.65Ω左右，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。该器件采用平面硅基工艺制造，确保了批次一致性与长期可靠性，特别适用于需要长时间连续运行的工业电源应用。其较大的安全工作区（SOA）允许在瞬态过载或短路情况下仍能保持一定的耐受能力，减少因突发电流冲击导致的器件损坏风险。
该MOSFET具有较低的输入电容和输出电容，有助于降低高频开关过程中的驱动损耗和电磁干扰（EMI）。同时，其较快的反向恢复时间（trr）减少了体二极管在关断时的反向恢复电荷，从而抑制了电压尖峰和开关损耗，尤其在硬开关拓扑中表现更佳。此外，TO-220F封装带有绝缘垫片，可实现电气隔离的同时保证良好的热传导性能，使得器件能够通过散热片高效散热，延长使用寿命。
11N80-FL还具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关测试（UIS）条件下承受一定的能量冲击，增强了系统在异常工作状态下的鲁棒性。其栅极氧化层经过优化设计，能够承受±30V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的栅极击穿。整体而言，该器件在高电压、中等电流的应用场景中表现出色，是替代传统双极型晶体管或低性能MOSFET的理想选择，广泛应用于消费类与工业类电源产品中。
11N80-FL主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高耐压和较高效率的场合。典型应用包括通用AC-DC适配器、充电器电源模块、LED恒流驱动电源、PC电源供应器（ATX）、工业控制电源单元等。由于其800V的高击穿电压，该器件特别适合用于全球输入电压范围（85VAC~265VAC）的离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关管使用，能够在全电压范围内可靠工作而无需额外的电压钳位保护电路。
此外，11N80-FL也常用于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在太阳能光伏逆变器、UPS不间断电源和电动工具电源管理系统中发挥关键作用。其良好的热特性和较高的电流承载能力使其在持续负载条件下仍能保持稳定性能。在电机驱动领域，该MOSFET可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低功耗控制。
由于其封装形式为TO-220F，具备良好的机械强度和散热性能，因此在需要外接散热片的高功率密度设计中尤为适用。同时，该器件也被广泛用于各类家电产品中的电源模块，如空调、洗衣机、微波炉等，满足严苛的安规和可靠性要求。总之，11N80-FL凭借其高耐压、中大电流和高可靠性，已成为多种电源拓扑结构中的主流选择之一。
10N80-FL, 12N80-FL, FQPF11N80, STP11NM80, K11N80, KFE9N80, IRFBC30
