类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）等

110N8F5 MOSFET以其低导通电阻著称，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，使得在高电流条件下仍能保持较低的导通压降。此外，其高耐压能力（100V VDS）使其适用于多种中高功率应用。由于其良好的热管理特性，即使在高温环境下也能稳定运行。110N8F5还具有较高的抗雪崩击穿能力和过载保护功能，确保在恶劣工况下器件的安全性。
　　在封装方面，常见的TO-220和TO-263封装形式提供了良好的散热性能，并且便于在PCB上安装和焊接。这些封装形式广泛应用于工业标准设计中，因此110N8F5可以轻松替代其他类似规格的MOSFET。
　　此外，110N8F5的栅极驱动特性较为友好，适用于常见的MOSFET驱动电路，无需复杂的外围电路即可实现快速开关，从而进一步提高整体系统的效率。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，特别适合高频开关应用，如DC-DC转换器和电机控制电路。

110N8F5广泛应用于多种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电动工具、汽车电子（如车载充电器、电机控制器）以及工业自动化控制系统等。在这些应用中，110N8F5能够提供高效的功率转换和良好的热稳定性，确保系统长时间稳定运行。

IRF1404、Si4410BDY、NTMFS4C10N、FDMS86101