110MT120K 时间：2025/12/26 20:58:18 阅读：21

110MT120K是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于多种电源管理场景。110MT120K属于N沟道增强型MOSFET，其设计旨在在低电压、大电流的应用中提供卓越的性能表现。该器件广泛用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等电路中。由于其小型化封装（如PowerPAK SO-8双片式封装），110MT120K能够在有限的PCB空间内实现高效的热管理和电气性能。此外，该MOSFET具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，从而提高整体系统效率。器件的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。110MT120K符合RoHS标准，并且无卤素，满足现代电子产品对环保和可靠性的要求。

参数

型号：110MT120K
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：48 A（在TC=25°C时）
　　导通电阻RDS(on)：11 mΩ（在VGS=10 V时）
　　导通电阻RDS(on)：15 mΩ（在VGS=4.5 V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：2400 pF（在VDS=50 V时）
　　总栅极电荷（Qg）：60 nC（在VGS=10 V时）
　　反向恢复时间（trr）：27 ns
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　峰值脉冲漏极电流（IDM）：192 A

特性

110MT120K采用了Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了传导损耗，提升了整体能效。其低至11 mΩ的RDS(on)（在VGS=10 V条件下）使其非常适合用于高电流密度的电源设计中，例如服务器电源模块或便携式设备中的DC-DC降压转换器。同时，在较低的驱动电压下（如4.5 V），其RDS(on)仍可保持在15 mΩ以内，这表明该器件在使用逻辑电平信号驱动时依然具备出色的性能，增强了与微控制器或PWM控制器的兼容性。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）仅为60 nC，这一参数直接影响开关速度和驱动功耗。低Qg意味着在高频开关应用中可以减少驱动电路的能量消耗，并加快开关过渡过程，进而降低开关损耗。这对于提升开关电源的整体效率至关重要，尤其是在MHz级开关频率的设计中优势明显。此外，其输入电容Ciss为2400 pF，在高频应用中有利于减小谐振影响，提高稳定性。
　　110MT120K采用PowerPAK SO-8封装，这是一种双面散热的表面贴装封装，能够有效提升热传导能力。相较于传统SO-8封装，它在不增加PCB占用面积的前提下显著改善了热性能，使得器件在高负载条件下也能维持较低的结温。此封装还具备优良的机械强度和焊接可靠性，适合自动化SMT生产线。
　　该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业控制、汽车电子等对温度适应性要求较高的领域。另外，内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=27 ns），有助于减少交叉导通风险，尤其在同步整流拓扑中表现出色。

应用

110MT120K广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，其低RDS(on)和快速开关特性有助于提升转换效率并减少发热。该器件也常用于DC-DC电源模块、POL（点负载）电源设计以及电池供电系统的电源管理单元中。
　　在电机驱动电路中，110MT120K可用于H桥或半桥拓扑结构中的开关元件，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，能够有效控制直流电机或步进电机的启停与转向。此外，在热插拔控制器和负载开关应用中，该MOSFET可作为主控开关，实现对电源路径的软启动和过流保护功能，防止浪涌电流损坏后级电路。
　　由于其符合环保标准（无铅、无卤、符合RoHS），110MT120K也被广泛用于通信设备、消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电源）、工业自动化设备以及汽车辅助电源系统中。其小型封装特别适合空间受限的高密度PCB布局，是现代高集成度电源设计的理想选择之一。