GW520 时间：2025/5/12 19:57:29 阅读：8

GW520是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在高频和高效能要求的应用场景中使用。
　　GW520属于N沟道增强型MOSFET，其设计目标是提供高效率和可靠性，适用于工业控制、消费类电子以及通信设备中的多种电路设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　总栅极电荷：45nC
　　输入电容：1390pF
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

GW520的核心特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗并支持高频操作。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
　　4. 良好的热稳定性和较低的热阻，确保在高温环境下的可靠运行。
　　5. 小尺寸封装，节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。