10TQ045 时间：2025/10/28 9:27:40 阅读：12

10TQ045是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基势垒二极管阵列，采用中心抽头配置，专为高频开关应用和整流电路设计。该器件封装在小型化的PowerQuad 10引脚表面贴装封装中，适用于空间受限的高密度PCB布局。10TQ045的主要特点是其低正向压降、快速反向恢复时间以及优异的热性能，使其成为高效电源转换系统中的理想选择。
　　该芯片内部集成了两个独立的肖特基二极管并联连接，并通过中心抽头方式实现全波整流功能，常用于DC-DC转换器、同步整流模块、隔离式电源拓扑（如正激、反激）及低压大电流输出场合。由于肖特基二极管的单向导电性和较低的结电压（通常在0.3V~0.5V之间），10TQ045能够显著降低导通损耗，提高整体能效，特别适合节能型绿色电子产品使用。此外，该器件具备良好的浪涌电流承受能力，增强了在瞬态负载条件下的可靠性。

参数

产品类型：肖特基整流二极管阵列
　　配置：双二极管中心抽头（Center-Tapped Dual Schottky Diode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
　　平均整流电流（IO）：10A
　　正向压降（VF）：典型值0.52V（在10A、100°C时）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.65V（在10A、100°C时）
　　反向漏电流（IR）：最大3.0mA（在45V、125°C时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值≤15ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerQuad 10引脚DFN（Dual Flat No-lead）
　　安装类型：表面贴装（SMD/SMT）
　　热阻（RθJA）：约25°C/W（依PCB布局而定）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半正弦波）

特性

10TQ045的核心优势在于其采用先进的沟道肖特基技术，在保持高电流处理能力的同时实现了极低的正向压降和出色的开关性能。这种设计有效减少了功率损耗，尤其是在低电压输出（例如3.3V或更低）的应用中表现尤为突出。器件内部的双二极管结构与中心抽头配置使得它非常适合用于单端正激变换器或有源钳位反激拓扑中的次级侧整流环节，无需额外的控制电路即可完成全波整流功能，简化了系统设计复杂度。
　　该器件具有优异的热管理能力，得益于PowerQuad封装内置的大面积铜焊盘和多引脚散热路径，可高效地将热量传导至PCB，从而支持持续10A级别的平均整流电流输出。同时，其10引脚DFN封装尺寸紧凑，典型尺寸约为5mm x 6mm，适合高密度板级布局，满足现代便携式设备和通信电源对小型化的需求。此外，所有端子均符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊接工艺。
　　10TQ045还具备较强的抗电磁干扰（EMI）能力，因其快速的反向恢复特性几乎不产生反向恢复电荷（Qrr接近零），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中引起的尖峰噪声和振铃现象，有助于提升系统的EMI性能，降低滤波元件成本。该器件可在宽温度范围内稳定运行，从工业级低温-55°C到高温+150°C的结温适应性使其适用于严苛环境下的电源模块，如车载电子、工业控制和电信基础设施等场景。

应用

10TQ045广泛应用于各类高效开关电源系统中，尤其适用于需要低压大电流输出的DC-DC转换器。典型应用场景包括服务器电源、路由器和交换机的中间总线转换器（IBC）、POL（Point-of-Load）稳压模块的次级整流部分，以及笔记本电脑适配器、平板充电器等消费类电源产品。
　　在通信电源领域，该器件常被用于隔离式AC-DC电源的副边整流电路，配合PWM控制器实现高效率能量传递。其低VF特性和快速响应能力也使其成为同步整流方案的理想替代品，特别是在无法使用MOSFET驱动的简化设计中更具优势。
　　此外，10TQ045还可用于电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、太阳能微逆变器以及汽车电子中的DC-DC变换模块。由于其具备良好的瞬态响应能力和耐浪涌特性，即使在频繁启停或负载突变的工况下也能保持稳定运行，因此在电动工具、无人机电源系统和便携医疗设备中也有广泛应用前景。