10SQ040 时间：2025/7/10 15:49:52 阅读：12

10SQ040是一款高压、低电容的硅雪崩二极管，广泛应用于高灵敏度的光电探测器中。该二极管具有快速响应时间和良好的频率特性，适用于高频和高速信号传输系统。
　　它在设计上采用了先进的半导体制造工艺，确保了产品的稳定性和可靠性。由于其优异的雪崩倍增性能，这款器件非常适合需要高增益的应用场景。

参数

型号：10SQ040
　　类型：雪崩二极管(Avalanche Photodiode)
　　工作电压：20V~40V
　　暗电流：≤5nA
　　峰值波长：850nm
　　响应时间：≤5ns
　　结电容：≤0.3pF
　　最大反向工作电压：40V
　　最大正向电流：1mA
　　封装形式：TO-18

特性

10SQ040雪崩二极管的主要特点是具备极高的灵敏度和较低的噪声水平。它的低结电容使其能够支持高频应用，同时快速的响应时间确保了在高速数据传输中的良好表现。
　　此外，这款二极管能够在较宽的工作电压范围内保持稳定的倍增因子，从而为系统设计提供了更大的灵活性。
　　它的抗干扰能力强，适合用于各种复杂的电磁环境下。由于采用了优化的芯片结构设计，该产品还具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。

应用

10SQ040主要应用于光纤通信、激光测距、雷达系统以及工业自动化领域中的光电检测设备。
　　在光纤通信中，它被用作接收端的高灵敏度探测器；在激光测距仪中，该二极管能够准确捕捉微弱的反射光信号；而在雷达系统中，则利用其快速响应能力来提高目标识别精度。
　　此外，这款雪崩二极管还常用于医疗成像设备和安全监控系统中。