FN31N471J500PXG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源以及其他需要高效能开关控制的电子设备中。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适合在高频开关应用中使用。其封装形式为行业标准,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于在各种复杂环境中使用。
最大漏源电压:470V
最大连续漏电流:31A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻(典型值):50mΩ
总功耗:500W
工作结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247
FN31N471J500PXG的主要特性包括:
1. 高击穿电压(470V),能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻(50mΩ),有效减少功率损耗,提升系统效率。
3. 快速开关速度,适用于高频应用场景,降低开关损耗。
4. 良好的热性能,封装设计支持高效散热。
5. 宽温度范围(-55℃至175℃),适应多种恶劣环境下的工作需求。
6. 高可靠性和长寿命,适合工业级和商业级应用。
此外,该器件还具有优异的抗电磁干扰能力,能够确保在复杂电磁环境中的稳定表现。
FN31N471J500PXG主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路,用于工业自动化设备、家用电器等。
3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. 电动车和混合动力汽车的电力管理系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
6. 各类工业控制和通信设备中的高效功率转换模块。
由于其卓越的性能和可靠性,这款MOSFET成为许多高要求应用的理想选择。
IRFP460, STP30NF47, FDP18N45C