型号：10NL65
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：10A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　导通电阻RDS(on)：典型值0.72Ω（@VGS=10V），最大值0.85Ω（@VGS=10V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值38nC（@VDS=480V, ID=10A）
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF
　　输出电容（Coss）：典型值470pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快恢复功能，具体需查数据手册
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-220FP

10NL65具有优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高电压耐受能力与相对较低的导通电阻之间的良好折衷。该器件的650V漏源击穿电压使其能够安全应用于全球通用输入电压范围内的离线式电源系统，包括单相和部分三相辅助电源。其RDS(on)最大值为0.85Ω，在同类高压MOSFET中属于较为优异水平，有助于减少导通期间的能量损耗，提升整体能效。更重要的是，10NL65支持逻辑电平驱动，即在栅极驱动电压为10V时即可完全导通，这使其可以与常见的PWM控制器直接接口，无需使用复杂的栅极驱动电路，降低了系统成本和设计复杂度。
　　该MOSFET采用了先进的平面硅技术制造，具备出色的雪崩能量承受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其结构设计有效降低了寄生参数的影响，例如米勒电容（Crss）较小，有助于抑制高频开关过程中的振荡和误触发现象。同时，较低的总栅极电荷（Qg ≈ 38nC）意味着驱动电路所需提供的驱动功率更低，进一步提升了系统的开关效率，并允许更高的工作频率运行，从而缩小磁性元件体积，实现紧凑化设计。
　　在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热路径，可通过外接散热片将功耗有效传导至环境。器件的最大结温可达150°C，并配备有热关断保护机制（依赖于外部控制电路），确保长时间运行的可靠性。此外，10NL65符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的设计要求。广泛应用于LED驱动电源、PC电源、适配器、家电变频控制系统等领域，是一款成熟可靠的高压功率开关器件。

10NL65主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要直接接入整流后市电的应用场景下表现突出。典型应用包括通用输入（85–265V AC）的反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振转换器拓扑结构，常用于笔记本电脑适配器、液晶电视电源板、工业开关电源模块（SMPs）以及电信设备供电单元。由于其650V的额定电压裕量充足，在面对电网波动或瞬态过压时仍能保持安全运行，因此也适用于对可靠性要求较高的工业控制和自动化设备。
　　在LED照明领域，10NL65可用于大功率LED驱动电源，特别是在恒流输出设计中作为主开关管使用，能够高效地将交流电转换为稳定的直流电流供给LED阵列。此外，它还可用于电机控制中的小型逆变器、电焊机电源、UPS不间断电源系统以及光伏微逆变器中的DC-DC升压或隔离环节。在家电产品中，如空调、洗衣机、冰箱的变频模块中，也可作为辅助电源或控制回路的功率开关元件。
　　得益于其较强的抗浪涌能力和稳定的高温性能，10NL65在恶劣电磁环境或高温环境下依然表现出良好的耐用性，因此也被广泛用于户外照明、智能电表电源模块及楼宇自动化系统中的远程供电装置。总之，凡是涉及高压直流或交流整流后进行高频斩波的应用，10NL65都是一种经济且高效的解决方案。

STP10NK60ZFP
　　10N60E
　　FQA10N65C
　　K10A65D