类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：10A
　　连续漏极电流（Id）@100°C：5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.75Ω（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V, Id=5A：典型值约为0.6Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：380pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：60pF @ Vds=25V
　　栅极电荷（Qg）：45nC @ Vgs=10V
　　上升时间（tr）：45ns
　　下降时间（tf）：75ns
　　反向恢复时间（Trr）：48ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

10N60K-MT采用先进的平面工艺技术，确保了器件在高电压应用中的可靠性和稳定性。其600V的漏源击穿电压使其非常适合于通用开关电源和离线式电源设计，能够承受较高的瞬态电压冲击而不发生损坏，提升了系统的安全裕度。该MOSFET在Vgs=10V时的典型导通电阻仅为0.6Ω，最大不超过0.75Ω，这一低Rds(on)特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。尤其是在中等负载条件下，低导通电阻带来的温升控制优势尤为明显，有助于延长系统寿命并减少散热设计复杂度。
　　器件具备良好的热稳定性，得益于TO-220封装出色的热传导性能，芯片结到外壳的热阻（Rth(j-c)）较低，通常在1.0°C/W左右，使得即使在较高功耗下也能有效将热量传导至散热器或PCB，避免局部过热导致的性能下降或失效。此外，10N60K-MT的栅极电荷（Qg）为45nC，在同类600V MOSFET中处于较优水平，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动芯片的成本与功耗。
　　该器件还具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），分别为1100pF和60pF，这有助于减少高频开关过程中的噪声耦合和米勒效应，从而提升开关速度并降低开关损耗，特别适用于50kHz以上的高频开关应用。其反向恢复时间（Trr）为48ns，表明体二极管具备较快的恢复能力，可在反激式电源或半桥拓扑中有效减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。此外，10N60K-MT的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境，具备良好的温度耐受能力。

10N60K-MT广泛应用于各类中高功率开关模式电源系统中，尤其适用于需要高电压隔离和高效能转换的场合。典型应用场景包括通用AC-DC适配器、手机与笔记本电脑充电器、LED恒流驱动电源、TV及显示器电源板、小型逆变器、UPS不间断电源以及工业控制电源模块等。由于其600V的额定电压，该器件可直接用于全球通用输入电压（85VAC~265VAC）的离线式反激变换器（Flyback Converter）主开关管，实现一次侧功率开关功能。在这些应用中，10N60K-MT凭借其低导通电阻和适中的栅极电荷，在轻载和满载条件下均能保持较高的转换效率，满足能源之星（Energy Star）和DoE Level VI等能效标准要求。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压变换器的一次侧开关，特别是在太阳能微逆变器、电池管理系统（BMS）辅助电源和电动工具电源模块中表现出良好的动态响应和热稳定性。在电机驱动领域，10N60K-MT可用于小功率单相感应电机或步进电机的驱动电路中，作为H桥结构中的开关元件之一，实现精确的启停和调速控制。由于其具备快速开关能力和较强的抗浪涌电流能力，也可用于电子镇流器、电磁炉和电焊机等家电与工业设备中的功率控制环节。在待机电源（Standby Power Supply）设计中，10N60K-MT因其低静态功耗和高可靠性，成为实现低待机功耗（<1W）的关键器件之一。同时，其标准TO-220封装便于手工焊接与自动化生产，支持波峰焊和回流焊工艺，适合大批量制造。

FQP10N60C/FQP10N60L
　　STP10NK60ZFP
　　KSE10N60MU
　　APW10N60PF