时间：2025/7/10 15:49:05
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10N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。其额定电压为600V，适用于高电压应用环境。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：6A
导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：35nC
总电容：180pF
开关速度：快速
10N60采用了先进的制造工艺，具备以下显著特性：
1. 高击穿电压：支持高达600V的漏源电压，确保在高压条件下稳定运行。
2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为4.5Ω，从而减少导通损耗。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷和寄生电容设计使其能够在高频应用中保持高效表现。
4. 高可靠性：经过严格的测试和筛选流程，确保器件在各种工作条件下的稳定性。
5. 紧凑封装：通常采用TO-220或DPAK封装，便于散热管理及PCB布局优化。
10N60适用于多种高电压电子电路，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 高频逆变器和LED驱动器中的开关元件。
IRF840, STP10NK60Z, FQP14N60
