10N10/CJU10N10 时间：2025/8/16 18:56:11 阅读：24

10N10/CJU10N10 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制等领域。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于中高功率的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：10A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

10N10/CJU10N10 MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其100V的漏源击穿电压使其适用于多种中高压应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电源开关。此外，该器件的连续漏极电流能力为10A，能够满足较高功率需求的电路设计。
　　其导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V时低于0.45Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。同时，该器件的封装设计（如TO-220和TO-252）提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下的稳定性和可靠性。
　　10N10/CJU10N10还具备较强的抗过载能力，能够在短时间承受较大的电流和功率冲击，适用于需要瞬态响应的应用场景。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成在不同的控制系统中。
　　总的来说，10N10/CJU10N10以其高耐压、低导通电阻、良好的散热和稳定性，成为工业控制、电源模块和消费电子产品中的理想选择。