时间：2025/12/29 14:45:14
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10N02Z 是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于电源管理、开关电路以及DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的工艺制造，确保了良好的热稳定性和电流承载能力，适用于需要高效能与小型化设计的电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（Id）：最大10A
漏-源电压（Vds）：最大200V
栅-源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.36Ω（Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等常见功率封装
10N02Z 是一款适用于多种功率应用的MOSFET，其核心特性包括低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)典型值为0.36Ω，这使得在高电流应用中能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其最大漏极电流可达10A，漏-源电压额定值为200V，确保在高压环境下具备良好的稳定性和可靠性。
在热性能方面，10N02Z 具有良好的散热设计，能够在较高温度下持续工作而不出现热失效。其工作温度范围覆盖-55℃至+150℃，适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境条件。此外，该MOSFET的栅-源电压最大为±30V，具备较高的抗静电能力和抗过压能力，有助于提升系统的安全性和长期运行的稳定性。
10N02Z 提供多种常见功率封装形式，如TO-220、TO-251和TO-252等，便于根据不同的应用需求进行选型和安装。TO-220封装适用于需要良好散热的插件式应用，而TO-251和TO-252则更适合表面贴装工艺，满足高密度PCB设计的需求。这种多样化的封装选择增强了其在不同应用场景中的适应性。
10N02Z MOSFET适用于多种功率电子设备，常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器、充电器以及各类工业自动化设备中的功率开关控制模块。由于其具备较高的电流和电压承受能力，该器件在中小功率电源转换系统中表现出色。
10N02L、10N02K、10A20、FDPF10N20、STP10NM20、IRF10N20、FQA10N20、SiHF10N20
