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10BQ030PBF 发布时间 时间:2025/12/26 19:07:13 查看 阅读:16

10BQ030PBF是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基势垒二极管阵列,采用中心抽头整流配置,专为高频开关电源应用设计。该器件封装于TO-220F或类似功率封装中,具备良好的热性能和机械稳定性,适用于需要高效、低损耗整流的场合。其主要特点是采用了肖特基技术,从而实现了较低的正向压降和快速的反向恢复时间,显著提升了转换效率并减少了开关损耗。该器件由两个肖特基二极管以共阴极方式连接构成中心抽头结构,常用于单端或全波整流电路中,特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器、AC-DC适配器、服务器电源、电信设备电源模块等高能效要求的应用场景中广泛使用。
  10BQ030PBF的“10B”表示其为双二极管结构,“Q”代表肖特基整流技术,“030”表示其额定平均整流电流为30A,“PBF”则表明其为符合RoHS标准的无铅环保型号。该器件在设计上注重热管理和电气性能的平衡,能够承受较高的结温,并具备一定的浪涌电流耐受能力,适合在恶劣工作环境下稳定运行。此外,其金属外壳封装便于安装散热片,进一步增强了散热能力,确保长时间工作的可靠性。

参数

类型:中心抽头肖特基整流二极管
  配置:双二极管共阴极
  最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大直流阻断电压(VR):100V
  最大有效值电压(VRMS):70V
  最大直流正向电流(IF):30A
  每管芯最大平均正向整流电流(IF(AV)):30A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms半正弦波)
  最大正向电压降(VF):0.58V(典型值,@ IF = 15A, TJ = 125°C)
  最大反向漏电流(IR):400μA(@ VR = 100V, TJ = 25°C);10mA(@ VR = 100V, TJ = 125°C)
  反向恢复时间(trr):典型值小于10ns
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220F
  引脚数:3
  极性:中心抽头共阴极
  热阻(RθJC):约1.5°C/W(取决于PCB布局和散热条件)

特性

10BQ030PBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而显著降低了正向导通压降。在大电流应用场景下,如服务器电源或通信电源中的次级整流,低VF意味着更少的导通损耗和更高的系统效率。例如,在15A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.58V,远低于传统快恢复二极管的1.2V以上水平,这使得功率损耗降低超过一半,极大提升了整体能效。同时,由于没有少数载流子存储效应,肖特基二极管具备极快的开关速度,反向恢复时间通常小于10ns,几乎可以忽略不计,因此在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电流尖峰,减少了电磁干扰(EMI)和开关管的应力,提高了系统的可靠性和稳定性。
  该器件的中心抽头结构特别适用于全波整流拓扑,例如在单端正激或推挽变换器中作为输出整流级使用。两个对称的二极管共享一个公共阴极,简化了PCB布局,减少了元件数量和装配成本。此外,TO-220F封装不仅提供了良好的电气隔离性能,还具备优异的热传导能力,其底部金属片可直接固定在散热器上,实现高效的热量散发。这种设计使得10BQ030PBF能够在持续高负载条件下保持较低的结温,延长使用寿命。器件的宽工作温度范围(-65°C至+175°C)使其适用于工业级和部分严苛环境下的应用。值得一提的是,其高达150A的非重复浪涌电流能力,使其在面对输入瞬态或冷启动冲击时具有较强的耐受力,避免因瞬间过流导致的早期失效。综合来看,10BQ030PBF在效率、热性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡,是现代高密度电源设计中的理想选择之一。

应用

10BQ030PBF广泛应用于各类需要高效、低压大电流输出的开关电源系统中。典型应用包括AC-DC开关电源适配器,尤其是在笔记本电脑、显示器、打印机等消费类电子设备的电源模块中作为次级侧整流元件。在这些应用中,其低正向压降有助于提升轻载和满载效率,满足能源之星等能效标准。此外,它也常见于DC-DC转换器,特别是隔离式拓扑如单端正激、推挽和半桥结构中,用于将高频变压器输出的交流脉冲转换为稳定的直流电压。由于其支持30A的大电流输出,非常适合用于服务器、基站、路由器等通信设备的电源单元(PSU),这些设备对电源效率和散热管理有极高要求。
  在工业电源领域,10BQ030PBF可用于工控电源、PLC电源模块、LED驱动电源以及UPS不间断电源系统中。其高结温能力和良好的热稳定性使其能在高温工业环境中长期稳定运行。此外,在太阳能逆变器和电池充电管理系统中,该器件也可作为防反接或能量回馈路径中的整流元件。由于其快速响应特性,还能有效抑制反向电流流动,保护主电路。在汽车电子领域,虽然其封装形式不太适合车载紧凑空间,但在某些辅助电源或车载充电机(OBC)的次级整流部分仍有潜在应用。总之,凡是需要高效率、大电流、低损耗整流的场合,10BQ030PBF都是一个值得考虑的解决方案。

替代型号

SB30100CT
  MBR30100CT
  STPS30L100CT
  VS-30CPQ100

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10BQ030PBF参数

  • 数据列表10BQ030PBF
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)420mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 30V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装DO-214AA(SMB)
  • 包装散装
  • 其它名称VS-10BQ030PBFVS-10BQ030PBF-NDVS10BQ030PBFVS10BQ030PBF-ND