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10BF40TR 发布时间 时间:2025/12/26 21:03:30 查看 阅读:16

10BF40TR是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用BFBM(即SMB)封装,具有紧凑的物理尺寸和优良的热性能,适合在空间受限且对散热有一定要求的应用中使用。10BF40TR由两个独立的肖特基二极管组成,采用共阴极配置,常用于电源整流、续流保护、反向电压隔离以及DC-DC转换器等场合。由于其低正向压降和快速恢复特性,该器件能够显著降低导通损耗,提高系统整体能效。此外,10BF40TR符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。器件额定工作温度范围宽,可在-55°C至+125°C的结温范围内稳定运行,确保在各种环境条件下具备良好的可靠性。

参数

类型:双肖特基二极管
  配置:共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向压降(VF):0.5V @ 1A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 40V, 25°C
  反向恢复时间(trr):典型值5ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  封装/外壳:SMB (DO-214AA)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:2
  湿度敏感等级(MSL):1级(<=30°C/85%RH)
  符合标准:RoHS、无卤素

特性

10BF40TR的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构通过金属-半导体结替代传统的PN结,从而实现了极低的正向导通压降和近乎瞬时的开关响应能力。其正向压降在1A电流下仅为0.5V左右,相比普通硅二极管可减少约30%-40%的导通损耗,这对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要。由于没有少子存储效应,该器件的反向恢复时间极短,典型值仅为5ns,极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),使其非常适合用于高频开关电源如同步整流、BUCK/BOOST转换器及反激式拓扑结构中。
  该器件采用双二极管共阴极配置,允许在同一封装内实现两个独立功能,例如在一个双路输出电源中分别提供续流路径,或者在H桥驱动电路中作为飞轮二极管使用。这种集成设计不仅节省了PCB布局空间,还简化了装配流程,提高了生产效率。SMB封装具有良好的热传导性能,配合适当的PCB铜箔面积设计,可有效将热量从芯片传递至电路板,提升功率处理能力和长期运行稳定性。此外,器件经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环试验,确保在恶劣工作环境下仍能保持性能一致。
  10BF40TR具备出色的动态性能,在高频斩波应用中表现出色,能够有效抑制电压尖峰和振荡现象。其低寄生电容和快速响应特性也有助于改善系统的瞬态响应能力。同时,该产品支持自动化贴片工艺,适用于回流焊和波峰焊等多种组装方式,兼容现代SMT生产线。总体而言,10BF40TR是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。

应用

10BF40TR广泛应用于各类需要高效整流与快速开关响应的电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级整流,特别是在低电压大电流输出场景下,其低VF特性有助于提升转换效率;在DC-DC转换器中用作续流二极管或同步整流辅助元件,帮助降低功耗并减少发热;也可用于逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源中的反向电压保护与能量回馈路径。此外,该器件适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元,用于电池充放电回路的隔离与保护。在电机驱动电路中,10BF40TR可作为感性负载关断时的续流通道,防止反电动势损坏主控开关器件。它也常被用于接口电路的ESD和反接保护,以及太阳能充电控制器中的防逆流装置。得益于其小型化封装和高可靠性,该器件同样适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和其他汽车电子设备的电源部分。

替代型号

SB140; 1N5819W; MBRS140; DSK14; B140

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